Zobrazeno 1 - 5
of 5
pro vyhledávání: '"Guo Si-Hua"'
Autor:
Chen De-Yuan, Guo Si-Hua, Xu Ling, Huang Xin-Fan, Wei De-Yuan, Yao Yao, Ma Zhong-Yuan, Huang Rui, Xu Jun, Zhou Jiang, Chen Kun-Ji, Feng Duan, Li Wei
Publikováno v:
Chinese Physics B. 17:303-306
Intensive blue photoluminescence (PL) was observed at room temperature from the nanocrystalline-Si/SiO2 (nc-Si/SiO2) multilayers (MLs) obtained by thermal annealing of SiO/SiO2 MLs for the first time. By controlling the size of nc-Si formed in SiO su
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::a7d2c882156c81efaa1c0b4900d5f616
https://doi.org/10.1088/1674-1056/17/1/053
https://doi.org/10.1088/1674-1056/17/1/053
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Ding Hong-Lin, Huang Jian, Fang Zhong-Hui, Chen Kun-Ji, Guo Si-Hua, Huang Xin-Fan, Li Wei, Wang Xiang
Publikováno v:
Chinese Physics Letters. 26:037301
The nanocrystal-Si quantum dot (nc-Si QD) floating gate MOS structure is fabricated by using plasma-enhanced chemical vapour deposition (PECVD) and furnace oxidation technology. The capacitance hysteresis in capacitance-voltage (C – V) measurements
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::676d236a09ccb066a4ccc8002899b08e
https://doi.org/10.1088/0256-307x/26/3/037301
https://doi.org/10.1088/0256-307x/26/3/037301
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.