Zobrazeno 1 - 7
of 7
pro vyhledávání: '"Guo, Tianlei"'
Autor:
Yang, Yuchen, Wu, Zhen, Yao, Jing, Guo, Tianlei, Yang, Fusheng, Zhang, Zaoxiao, Ren, Jianwei, Jiang, Liangliang, Li, Bo
Publikováno v:
In Energy Reviews June 2024 3(2)
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Li Yong-Hong, Guo Gang, He Chaohui, Liu Jie, Liu Gang, Guo Tianlei, Zhao Fazhan, Han Zhengsheng
Publikováno v:
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms. 267:83-86
Silicon-on-insulator (SOI) technologies have been developed for radiation-hardened military and space applications. The use of SOI has been motivated by the full dielectric isolation of individual transistors, which prevents latch-up. The sensitive r
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::7de1cf974e48e4d8000e0c1c49d56be0
https://doi.org/10.1016/j.nimb.2008.10.082
https://doi.org/10.1016/j.nimb.2008.10.082
Autor:
Liu Gang, Guo Tianlei, Hai Chaohe, Zhao Fazhan, Liu Mengxin, Lin Dongsheng, Han Zhengsheng, Li Ruibin, Yang Shanchao, Chen Wei
Publikováno v:
Chinese Physics B. 17:4599-4605
This paper implements the study on the Dose Rate Upset effect of PDSOI SRAM (Partially Depleted Silicon-On-Insulator Static Random Access Memory) with the Qiangguang-I accelerator in Northwest Institute of Nuclear Technology. The SRAM (Static Random
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::3bf595f07e663b8d764d56505ef41bf7
https://doi.org/10.1088/1674-1056/17/12/044
https://doi.org/10.1088/1674-1056/17/12/044
Autor:
Aixi Zhang, Guo Tianlei, Jushan Xie, Alvin I. Chen, Chunyi Huang, Ru Huang, Runsheng Wang, Shaofeng Guo
Publikováno v:
2015 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM).
The reliability variation simulation methodology for advanced integrated circuit (IC) design is presented from an Electronic Design Automation (EDA) perspective. Reliability effects, such as hot carrier injection (HCI) and bias temperature instabilit
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::ea1c4f9a97a4b3880f03c12a9679a69c
https://doi.org/10.1109/iedm.2015.7409677
https://doi.org/10.1109/iedm.2015.7409677
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Zhang, Aixi, Huang, Chunyi, Guo, Tianlei, Chen, Alvin, Guo, Shaofeng, Wang, Runsheng, Huang, Ru, Xie, Jushan
Publikováno v:
2015 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM); 1/1/2015, p1.4-11.5.4, 0p