Zobrazeno 1 - 10
of 739
pro vyhledávání: '"Guo, H. X."'
Autor:
Cheng, L., Da, B., Liu, X., Shigeto, K., Tsukagoshi, K., Nabatame, T., Liu, J. W., Zhang, H., Yoshikawa, H., Tanuma, S., Gao, Z. S., Guo, H. X., Sun, Y., Hu, J., Ding, Z. J.
We report a promising InSiO film that allows simultaneous observation of sample morphology and Kikuchi patterns in raster scan mode of scanning electron microscopy. This new experimental observation suggests potential mechanism beyond existing diffra
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2211.07144
Autor:
equally, contribute, Tsukagoshi, K., Nabatame, T., Ding, Z. J., Sun, Y., Hu, J., Liu, J. W., Tang, D. M., Zhang, H., Gao, Z. S., Guo, H. X., Yoshikawa, H., Tanuma, S.
The Kikuchi bands arise from Bragg diffraction of incoherent electrons scattered within a crystalline specimen and can be observed in both the transmission and reflection modes of scanning electron microscopy (SEM). Converging, rocking, or grazing in
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2205.13690
Publikováno v:
International Journal of Simulation Modelling (IJSIMM). Sep2023, Vol. 22 Issue 3, p438-449. 12p.
Publikováno v:
In Materials Today Energy September 2021 21
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Zhang H, Guo H X, Lei Z F, Peng C, Ma W Y, Wang D, Sun C H, Zhang F Q, Zhang Z G, Yang Y, Lv W, Wang Z M, Zhong X L, Ouyang X P
Publikováno v:
Chinese Physics B.
Radiation effects of SiC MOSFETs induced by 20-MeV proton under drain bias (VD=800 V, VG=0 V), gate bias (VD=0 V, VG=10 V), turn-on bias (VD=0.5 V, VG=4 V) and static bias (VD=0 V, VG=0 V) are investigated. The drain current of SiC MOSFET under turn-
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::d5a608900f775af5c04c4950159eadd0
https://doi.org/10.1088/1674-1056/acbe31
https://doi.org/10.1088/1674-1056/acbe31
Autor:
CHEN, L.-S., WU, J.-R., WANG, B., YANG, T., YUAN, R., ZHAO, Y.-Y., XU, J.-S., GUO, H.-X., HUAN, X.-P.
Publikováno v:
Epidemiology and Infection, 2015 Nov 01. 143(15), 3327-3334.
Externí odkaz:
https://www.jstor.org/stable/26513004