Zobrazeno 1 - 10
of 54
pro vyhledávání: '"Gund, V."'
Autor:
Casamento, J., Nomoto, K., Nguyen, T. S., Lee, H., Savant, C., Li, L., Hickman, A., Maeda, T., Encomendero, J., Gund, V., Lal, A., Hwang, J. C. M., Xing, H. G., Jena, D.
Publikováno v:
IEEE IEDM Technical Digest, December 2022
We report the first observation of ferroelectric gating in AlScN barrier wide-bandgap nitride transistors. These FerroHEMT devices realized by direct epitaxial growth represent a new class of ferroelectric transistors in which the semiconductor is it
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2302.14209
Autor:
Casamento, J., Nomoto, K., Nguyen, T. S., Lee, H., Savant, C., Li, L., Hickman, A., Maeda, T., Encomendero, J., Gund, V., Lal, A., Hwang, J. C. M., Xing, H. G., Jena, D.
Publikováno v:
2022 International Electron Devices Meeting (IEDM).
We report the first observation of ferroelectric gating in AlScN barrier wide-bandgap nitride transistors. These FerroHEMT devices realized by direct epitaxial growth represent a new class of ferroelectric transistors in which the semiconductor is it
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::02f2fc39bf50a1936a01696c10f7e0ed
https://doi.org/10.1109/iedm45625.2022.10019485
https://doi.org/10.1109/iedm45625.2022.10019485
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
International Journal of Trend in Scientific Research and Development. 2:1282-1286
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::36d43f4bb76ffbe2c585cdf843feb758
https://doi.org/10.31142/ijtsrd18861
https://doi.org/10.31142/ijtsrd18861
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
2016 IEEE 29th International Conference on Micro Electro Mechanical Systems (MEMS); 1/1/2016, p1153-1156, 4p
Publikováno v:
2015 28th IEEE International Conference on Micro Electro Mechanical Systems (MEMS); 2015, p1090-1093, 4p
Publikováno v:
2015 28th IEEE International Conference on Micro Electro Mechanical Systems (MEMS); 2015, p873-876, 4p
Kniha
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.