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pro vyhledávání: '"Guichard, Sophie"'
Autor:
Bonnet, Caroline, Raël, Stéphane, Hinaje, Melika, Guichard, Sophie, Habermacher, Théophile, Vernier, Julian, François, Xavier, Péra, Marie-Cécile, Lapicque, François
Publikováno v:
AIMS Energy; 2021, Vol. 9 Issue 6, p1274-1298, 25p
Publikováno v:
In Comptes Rendus de l'Academie des Sciences Series IIA Earth and Planetary Science 1999 329(4):295-301
Publikováno v:
Symposium de Genie Electrique
Symposium de Genie Electrique, Jun 2016, Grenoble, France
Symposium de Genie Electrique, Jun 2016, Grenoble, France
International audience; The static characteristics of CREE 1200V/100A 4H-SiC MOSFET have been fully characterized at temperatures ranging from 0°C to 150°C. The distinct characteristics of high power SiC MOSFET compared with the silicon counterpart
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::4de08fa4582b42f94941747d44578337
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01361697/file/SGE_2016_final.pdf
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01361697/file/SGE_2016_final.pdf
Publikováno v:
2016 18th European Conference on Power Electronics & Applications (EPE'16 ECCE Europe); 2016, p1-10, 10p
Autor:
Guichard, Sophie, Jorissen, Frans, Bertrand, Philippe, Gervais, Anne, Martinez, Philippe, Peypouquet, Jean-Pierre, Pujol, Claude, Vergnaud-Grazzini, Colette
Publikováno v:
In Comptes Rendus de l'Academie des Sciences Series IIA Earth and Planetary Science 1997 325(1):65-70
Publikováno v:
Geobios; January 1997, Vol. 30 Issue: 2 p263-263, 1p
Autor:
Vallard, alexis, Falk, alexander Tuan, antoine, Pascale, Guy, Jean-Baptiste, Guichard, Jean-Baptiste, Espenel, Sophie, Langrand-Escure, Julien, Trone, Jane-Chloé, Méry, Benoîte, Ben Mrad, Majed, Diao, Peng, Wang, Guoping, Roche, Frédéric, Bosacki, Claire, Chargari, Cyrus, Bourmaud, aurélie, Magné, Nicolas
Publikováno v:
Oncology; Oct2015, Vol. 89 Issue 5, p262-268, 7p, 4 Charts
Autor:
Thalia Darnanville, Tony Hemery
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Autor:
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