Výsledky vyhledávání

Akademický článek

Growth of αRh2As on GaAs (001) in a molecular-beam epitaxy system.

Autor: Guivarcrsquo;h, A., Secoué, M., Guenais, B., Ballini, Y., Badoz, P. A., Rosencher, E.

Publikováno v: Journal of Applied Physics; 7/15/1988, Vol. 64 Issue 2, p683, 5p, 3 Black and White Photographs, 1 Diagram, 4 Graphs

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

ErSb/GaSb(001) and GaSb/ErSb/GaSb(001) heterostructures and [ErSb,GaSb] superlattices: Molecular beam epitaxy growth and characterization.

Autor: Guivarc’h, A., Ballini, Y., Toudic, Y., Minier, M., Auvray, P., Guenais, B., Caulet, J., Le Merdy, B., Lambert, B., Regreny, A.

Publikováno v: Journal of Applied Physics; 3/15/1994, Vol. 75 Issue 6, p2876, 8p, 2 Black and White Photographs, 10 Graphs

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Ion channeling study of Scx(Yb,Er)1-xAs films on GaAs (001).

Autor: Guivarc’h, A., Ballini, Y., Minier, M., Guenais, B., Dupas, G., Ropars, G., Regreny, A.

Publikováno v: Journal of Applied Physics; 6/15/1993, Vol. 73 Issue 12, p8221, 6p, 1 Diagram, 1 Chart, 7 Graphs

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Metallurgical study of Ni/(Ga,Al) As contacts. III. Transmission electron microscopy characterization of ternary superstructured phases in the reacted layers.

Autor: Poudoulec, A., Guenais, B., Guivarc’h, A., Caulet, J., Guérin, R.

Publikováno v: Journal of Applied Physics; 12/15/1991, Vol. 70 Issue 12, p7613, 7p, 2 Black and White Photographs, 4 Diagrams, 1 Chart, 4 Graphs

Zobrazit plný text záznamu

Periodical

Etude des interdiffusions en phase solide dans le contact Ni/AlAs

Autor: Députier, S., Guivarc'h, A., Caulet, J., Poudoulec, A., Guenais, B., Minier, M., Guérin, R., Députier, S., Guivarc'h, A., Caulet, J., Poudoulec, A., Guenais, B., Minier, M., Guérin, R.

Publikováno v: Journal de Physique III; April 1995, Vol. 5 Issue: 4 p373-388, 16p

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Phase decomposition in the Ni–InGaAs system at high annealing temperature.

Autor: Oueldna, N.^1,2 (AUTHOR) nouredine.oueldna@um6p.ma, Perrin-Pellegrino, C.¹ (AUTHOR), Portavoce, A.¹ (AUTHOR), Rodriguez, Ph.³ (AUTHOR), Bih, L.⁴ (AUTHOR), Bouayad, A.⁴ (AUTHOR), Hoummada, K.¹ (AUTHOR) khalid.hoummada@im2np.fr

Publikováno v: Journal of Materials Science. Oct2023, Vol. 58 Issue 40, p15738-15747. 10p. 2 Color Photographs, 1 Chart, 3 Graphs.

Zobrazit plný text záznamu

Plný text ve formátu HTML

Akademický článek

Growth by molecular beam epitaxy of (rare-earth group V element)/III-V semiconductor heterostructures.

Autor: Guivarc'h, A., Le Corre, A., Auvray, P., Guenais, B., Caulet, J., Ballini, Y., Gúcrin, R., Députier, S., Le Clanche, M.C., Jézéquel, G., Lépine, B., Quémerais, A., Sébilleau, D.

Publikováno v: Journal of Materials Research; 08/01/1995, Vol. 10 Issue 8, p1942-1952, 11p

Zobrazit plný text záznamu

COLLECTIVE INVESTIGATIONS ON 2 TYPICAL SEMI-INSULATING GAAS INGOTS

Publikováno v: Materials Research Bulletin
Materials Research Bulletin, Elsevier, 1981, 16 (10), pp.1193-1212. ⟨10.1016/0025-5408(81)90089-1⟩

International audience

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::e5fa926b156b72f9f01510d72b04865b
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00323232

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Comparative study of interface structure in GaAs/AlAs superlattices grown by molecular beam....

Autor: Poudoulec, A., Guenais, B.

Publikováno v: Applied Physics Letters; 5/11/1992, Vol. 60 Issue 19, p2406, 3p, 2 Black and White Photographs, 2 Diagrams, 1 Chart, 4 Graphs

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Growth of RhGa on GaAs (001) in a molecular beam epitaxy system.

Autor: Guivarc’h, A., Secoué, M., Guenais, B.

Publikováno v: Applied Physics Letters; 3/21/1988, Vol. 52 Issue 12, p948, 3p

Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání