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pro vyhledávání: '"Guarnay, Sébastien"'
Autor:
Guarnay, Sébastien
Pour augmenter les performances des MOSFET, il est indispensable de comprendre les différents phénomènes physiques qui dégradent la mobilité apparente des électrons et trous traversant le canal et qui limitent l’amélioration obtenue par réd
Externí odkaz:
http://www.theses.fr/2015PA112053/document