Zobrazeno 1 - 10
of 818
pro vyhledávání: '"Guard ring"'
Publikováno v:
Nuclear Engineering and Technology, Vol 56, Iss 8, Pp 3076-3083 (2024)
In this work, single photon avalanche diodes (SPADs) were fabricated using the standard 180 nm complementary metal-oxide semiconductor process. Their small size of 15–16 μ m and low operating voltage made it possible to easily integrate them with
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/a9b09e05398e41369a878c1d02f4b6eb
Autor:
M.S. Kukurudzіak
Publikováno v:
Фізика і хімія твердого тіла, Vol 24, Iss 4, Pp 603-609 (2023)
The article examines the influence of the guard rings (GR) system structure on the dark currents of responsive elements (RE) and the actual guard rings of silicon 4-element p-i-n photodiodes (PD). The samples were made on the basis of p-silicon by pl
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/3afa289854ee47aa88df5ee8162b8519
Robust Pixel Design Methodologies for a Vertical Avalanche Photodiode (VAPD)-Based CMOS Image Sensor
Autor:
Akito Inoue, Naoki Torazawa, Shota Yamada, Yuki Sugiura, Motonori Ishii, Yusuke Sakata, Taiki Kunikyo, Masaki Tamaru, Shigetaka Kasuga, Yusuke Yuasa, Hiromu Kitajima, Hiroshi Koshida, Tatsuya Kabe, Manabu Usuda, Masato Takemoto, Yugo Nose, Toru Okino, Takashi Shirono, Kentaro Nakanishi, Yutaka Hirose, Shinzo Koyama, Mitsuyoshi Mori, Masayuki Sawada, Akihiro Odagawa, Tsuyoshi Tanaka
Publikováno v:
Sensors, Vol 24, Iss 16, p 5414 (2024)
We present robust pixel design methodologies for a vertical avalanche photodiode-based CMOS image sensor, taking account of three critical practical factors: (i) “guard-ring-free” pixel isolation layout, (ii) device characteristics “insensitive
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/b311ab22da3c448c812c555510b8efe6
Autor:
Ming-Dou Ker, Zi-Hong Jiang
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 11, Pp 141-152 (2023)
In CMOS chips, the wider layout rules were traditionally applied to overcome latch-up issues. However, the chip area with wider layout rules was often enlarged, and in turn the chip cost was also increased. To effectively improve latch-up immunity wi
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/35a58b0a15524d7ba1c46ddc5c8cd900
Influence of Surface Resistance of Silicon p-i-n Photodiodes n+-Layer on their Electrical Parameters
Autor:
M.S. Kukurudziak
Publikováno v:
Фізика і хімія твердого тіла, Vol 23, Iss 4, Pp 756-763 (2022)
Silicon quadrant p-i-n photodiodes of different concentrations of diffused phosphorus in the n+- layer were fabricated. The experimental curve of phosphorus impurity distribution along the depth of the diffusion layer is obtained. The influence of ch
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/c9da8b1c187c430c9de14f7b8a327da8
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IEEE Photonics Journal, Vol 14, Iss 1, Pp 1-8 (2022)
The noise performance of three types of n+/p-well single-photon avalanche diodes (SPADs) fabricated in a standard 180 nm CMOS technology is studied. The SPADs had different poly gate configurations: no poly gate (SPAD_NG), a dummy floating poly gate
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/c3c0fd1ae8f040ab869719ea2b111f1c
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.