Zobrazeno 1 - 10
of 55
pro vyhledávání: '"Grossi, Alessandro"'
Autor:
Grossi, Alessandro, Zambelli, Cristian, Olivo, Piero, Crespo-Yepes, Alberto, Martin-Martinez, Javier, Rodríguez, Rosana, Nafria, Monserrat, Perez, Eduardo, Wenger, Christian
Publikováno v:
In Solid State Electronics February 2017 128:187-193
Autor:
Grossi, Alessandro, Zambelli, Cristian, Olivo, Piero, Miranda, Enrique, Stikanov, Valeriy, Walczyk, Christian, Wenger, Christian
Publikováno v:
In Solid State Electronics January 2016 115 Part A:17-25
Autor:
Grossi, Alessandro1 (AUTHOR), Perez, Eduardo2 (AUTHOR), Zambelli, Cristian1 (AUTHOR) cristian.zambelli@unife.it, Olivo, Piero1 (AUTHOR), Miranda, Enrique3 (AUTHOR), Roelofs, Robin4 (AUTHOR), Woodruff, Jacob5 (AUTHOR), Raisanen, Petri5 (AUTHOR), Li, Wei5 (AUTHOR), Givens, Michael5 (AUTHOR), Costina, Ioan2 (AUTHOR), Schubert, Markus Andreas2 (AUTHOR), Wenger, Christian2,6 (AUTHOR) wenger@ihp-microelectronics.com
Publikováno v:
Scientific Reports. 7/24/2018, Vol. 8 Issue 1, p1-9. 9p.
Autor:
Grossi, Alessandro, Perez, Eduardo, Zambelli, Cristian, Olivo, Piero, Miranda, Enrique, Roelofs, Robin, Woodruff, Jacob, Raisanen, Petri, Wei, Li, Givens, Michael, Costina, Ioan, Schubert, Markus Andreas, Wenger, Christian
Publikováno v:
Scientific Reports, Vol 8, Iss 1, Pp 1-11 (2018)
The Resistive RAM (RRAM) technology is currently in a level of maturity that calls for its integration into CMOS compatible memory arrays. This CMOS integration requires a perfect understanding of the cells performance and reliability in relation to
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::3ed4c96a5f4788db3ab06db04d4d8062
http://link.springer.com/article/10.1038/s41598-018-29548-7
http://link.springer.com/article/10.1038/s41598-018-29548-7
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Pérez, Eduardo, Wenger, Christian, Grossi, Alessandro, Zambelli, Cristian, Olivo, Piero, Roelofs, Robin
Publikováno v:
Journal of Vacuum Science & Technology B, Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena
In this work, the impact of temperature in the range from −40 to +150 °C on the leakage mechanism and resistive switching voltages of 1T-1R HfO2-based devices is investigated. By using incremental step pulses with an additional read and verify alg
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::92ad3c70d519843ea01bca23d85aedce