Zobrazeno 1 - 10
of 25
pro vyhledávání: '"Grosgeorges, P."'
Autor:
Marie Grosgeorges, Laurence Picque Lasorsa, Brice Pastor, Corinne Prévostel, Evelyne Crapez, Cynthia Sanchez, Florence Frayssinoux, Marta Jarlier, Véronique Pezzella, Laure Monard, Marc Ychou, Alain R. Thierry, Thibault Mazard, Philippe Blache
Publikováno v:
Scientific Reports, Vol 13, Iss 1, Pp 1-7 (2023)
Abstract Optimizing the biomarker combination to be analyzed in liquid biopsies should improve personalized medicine. We developed a method to purify circulating cell-free mRNAs from plasma samples and to quantify them by RT-qPCR. We selected three c
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/08801aed358e45ef8d022d590f33d98e
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Barral, Vincent, Poiroux, T., Vinet, M., Widiez, J., Previtali, B., Grosgeorges, P., Le Carval, G., Barraud, S., Autran, J.L., Munteanu, D., Deleonibus, S.
Publikováno v:
In Solid State Electronics 2007 51(4):537-542
Autor:
Grange, H., Danel, J.S., Feldis, H., Desloges, B., Jousseaume, V., Licitra, C., Manquat, P.B., Grosgeorges, P., Fassi, B., Sbiaa, Z., Robert, P.
Publikováno v:
TRANSDUCERS 2009 - 2009 International Solid-State Sensors, Actuators & Microsystems Conference; 2009, p168-171, 4p
Autor:
Gallitre, M., Blampey, B., Chaabouni, H., Farcy, A., Grosgeorges, P., Lacrevaz, T., Bermond, C., Flechet, B., Ancey, P.
Publikováno v:
2008 12th IEEE Workshop on Signal Propagation on Interconnects; 2008, p1-4, 4p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Barral, V., Poiroux, T., Rochette, F., Vinet, M., Barraud, S., Faynot, O., Tosti, L., Andrieu, F., Casse, M., Previtali, B., Ritzenthaler, R., Grosgeorges, P., Bernard, E., LeCarval, G., Munteanu, D., Autran, J.L., Deleonibus, S.
Publikováno v:
2007 IEEE Symposium on VLSI Technology; 2007, p128-129, 2p
TiN metal gate thickness influence on fully depleted SOI MOSFETs physical and electrical properties.
Autor:
Widiez, J., Vinet, M., Poiroux, T., Holliger, P., Previtali, B., Grosgeorges, P., Mouis, M., Deleonibus, S.
Publikováno v:
2005 IEEE International SOI Conference Proceedings; 2005, p30-31, 2p
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.