Zobrazeno 1 - 8
of 8
pro vyhledávání: '"Grishchenko, J. V."'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Maiboroda, I. O.1 mrlbr@mail.ru, Grishchenko, J. V.1, Ezubchenko, I. S.1, Sokolov, I. S.1, Chernych, I. A.1, Andreev, A. A.1, Zanaveskin, M. L.1
Publikováno v:
Semiconductors. Jun2018, Vol. 52 Issue 6, p776-782. 7p.
Autor:
null Zanaveskin M. L., null Perminov P. A., null Grishchenko J. V., null Khrapovitskaya Yu. V., null Kolobkova E. M., null Mayboroda I. O., null Andreev A. A., null Chernykh I. A., null Chernykh M. Y., null Ezubchenko I. S.
Publikováno v:
Technical Physics Letters. 48:19
In this work, thermometric measurements of gallium nitride-based ungated transistors on silicon-on-diamond composite substrates are performed. Their heat sink efficiency is compared with transistors made by standard technology on a silicon carbide su
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Chernykh, M. Y., Ezubchenko, I. S., Mayboroda, I. O., Chernykh, I. A., Kolobkova, E. M., Perminov, P. A., Sedov, V. S., Altakhov, A. S., Andreev, A. A., Grishchenko, J. V., Martyanov, A. K., Konov, V. I., Zanaveskin, M. L.
Publikováno v:
Nanotechnologies in Russia; Nov2020, Vol. 15 Issue 11/12, p793-796, 4p
Autor:
Ezubchenko, I. S., Chernykh, M. Y., Andreev, A. A., Grishchenko, J. V., Chernykh, I. A., Zanaveskin, M. L.
Publikováno v:
Nanotechnologies in Russia; Jul2019, Vol. 14 Issue 7/8, p385-388, 4p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.