Trapping in irradiated p-on-n silicon sensors at fluences anticipated at the HL-LHC outer tracker

Autor: Adam, W., Bergauer, T., Dragicevic, M., Friedl, M., Fruehwirth, R., Hoch, M., Hrubec, J., Krammer, M., Treberspurg, W., Waltenberger, W., Alderweireldt, S., Beaumont, W., Janssen, X., Luyckx, S., Van Mechelen, P., Van Remortel, N., Van Spilbeeck, A., Barria, P., Caillol, C., Clerbaux, B., De Lentdecker, G., Dobur, D., Favart, L., Grebenyuk, A., Lenzi, Th., Léonard, A., Maerschalk, Th., Mohammadi, A., Perniè, L., Randle-Conde, A., Reis, T., Seva, T., Thomas, L., Velde, C. Vander, Vanlaer, P., Wang, J., Zenoni, F., Zeid, S. Abu, Blekman, F., De Bruyn, I., D'Hondt, J., Daci, N., Deroover, K., Heracleous, N., Keaveney, J., Lowette, S., Moreels, L., Olbrechts, A., Python, Q., Tavernier, S., Van Mulders, P., Van Onsem, G., Van Parijs, I., Strom, D. A., Caudron, A., Ceard, L., De Callatay, B., Delaere, C., Pree, T. Du, Forthomme, L., Giammanco, A., Hollar, J., Jez, P., Michotte, D., Nuttens, C., Perrini, L., Pagano, D., Quertenmont, L., Selvaggi, M., Marono, M. 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Publikováno v: 2016 JINST 11 P04023

The degradation of signal in silicon sensors is studied under conditions expected at the CERN High-Luminosity LHC. 200 $\mu$m thick n-type silicon sensors are irradiated with protons of different energies to fluences of up to $3 \cdot 10^{15}$ neq/cm

Externí odkaz: http://arxiv.org/abs/1505.01824