Zobrazeno 1 - 10 of 92 pro vyhledávání: '"Grinyaev, S."'
1
Akademický článek
Peculiarities of tunneling current in w-AlN/GaN(0001) two-barrier structures induced by deep-level defects.
Autor: Grinyaev, S. N., Razzhuvalov, A. N.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 2016, Vol. 120 Issue 15, p1-8, 8p, 1 Chart, 6 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
2
Akademický článek
Electron-phonon interaction in short-period (GaAs)(AlAs) (001) superlattices.
Autor: Grinyaev, S. gsn@phys.tsu.ru, Nikitina, L., Tyuterev, V.
Publikováno v: Semiconductors. Mar2014, Vol. 48 Issue 3, p320-331. 12p.
Zobrazit plný text záznamu
3
Akademický článek
Genesis of hole states of small germanium clusters in silicon.
Autor: Brudnyi, V.1 brudnyi@mail.tsu.ru, Grinyaev, S.1
Publikováno v: Russian Physics Journal. Oct2010, Vol. 53 Issue 5, p508-514. 7p. 1 Black and White Photograph, 1 Chart, 4 Graphs.
Zobrazit plný text záznamu
4
Akademický článek
A study of the GaAs/AlAs(001) superlattice spectrum within the abrupt- and smooth-boundary models.
Autor: Karavaev, G. F.1 karavaev@elefot.tsu.ru, Grinyaev, S. N.1
Publikováno v: Russian Physics Journal. Jan2010, Vol. 53 Issue 1, p49-59. 11p. 1 Chart, 2 Graphs.
Zobrazit plný text záznamu
5
Akademický článek
Hysteresis of tunnel current in w-GaN/AlGaN(0001) double-barrier structures.
Autor: Razzhuvalov, A.1 shuvalov@phys.tsu.ru, Grinyaev, S.1 gsn@phys.tsu.ru
Publikováno v: Semiconductors. May2008, Vol. 42 Issue 5, p580-588. 9p. 5 Graphs.
Zobrazit plný text záznamu
6
Akademický článek
The models of electron scattering at the GaAs/AlAs(001) interface.
Autor: Karavaev, G. F.1 karavaev@elefot.tsu.ru, Grinyaev, S. N.1
Publikováno v: Russian Physics Journal. Oct2007, Vol. 50 Issue 10, p993-1003. 11p. 1 Chart, 4 Graphs.
Zobrazit plný text záznamu
7
Akademický článek
Correlation between energy positions of deep intrinsic point-defect levels and a limiting fermi level in irradiated III–V semiconductors.
Autor: Brudnyi, V. N.1 brudnyi@mail.tsu.ru, Grinyaev, S. N.2, Kolin, N. G.
Publikováno v: Russian Physics Journal. May2007, Vol. 50 Issue 5, p429-434. 6p.
Zobrazit plný text záznamu
8
Akademický článek
The charge neutrality level in w-AlxGa1− x N solid solutions.
Autor: Brudnyi, V. N.1, Grinyaev, S. N.1, Kolin, N. G.1
Publikováno v: Russian Physics Journal. Aug2006, Vol. 49 Issue 8, p874-877. 4p.
Zobrazit plný text záznamu
9
Akademický článek
Self-consistent calculation of tunneling current in w-GaN/AlGaN(0001) two-barrier heterostructures.
Autor: Grinyaev, S. N.1 gsn@phys.tsu.ru, Razzhuvalov, A. N.1 shuvalov@phys.tsu.ru
Publikováno v: Semiconductors. Jun2006, Vol. 40 Issue 6, p675-680. 6p. 1 Chart, 5 Graphs.
Zobrazit plný text záznamu
10
Akademický článek
The Electrical and Optical Properties of InAs Irradiated with Electrons (∼2 MeV): The Energy Structure of Intrinsic Point Defects.
Autor: Brudny&icaron;, V. N.1 brudnyi@mail.tsu.ru, Grinyaev, S. N.1, Kolin, N. G.2 fci@meteo.ru
Publikováno v: Semiconductors. Apr2005, Vol. 39 Issue 4, p385-394. 10p.
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje