Zobrazeno 1 - 10 of 177 pro vyhledávání: '"Grimmeiss, H."'
1
Akademický článek
The iodine donor in ZnSxSe1-x alloys.
Autor: Fornell, J.-O., Grimmeiss, H. G., Mach, R., Müller, G.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 12/1/1988, Vol. 64 Issue 11, p6322, 6p, 1 Chart, 10 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
2
Akademický článek
Optical studies on the electric field dependence of excited donor states in silicon.
Autor: Larsson, K., Grimmeiss, H. G.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 5/1/1988, Vol. 63 Issue 9, p4524, 6p, 6 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
3
Akademický článek
Characterization of silver-related deep levels in silicon.
Autor: Baber, N., Grimmeiss, H. G., Kleverman, M., Omling, P., Iqbal, M. Zafar
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 10/1/1987, Vol. 62 Issue 7, p2853, 5p, 1 Chart, 6 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
4
Akademický článek
Configuration coordinate diagram for the E4 defect in electron-irradiated GaP.
Autor: Huang, Qisheng, Grimmeiss, H. G., Samuelson, L.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 10/15/1985, Vol. 58 Issue 8, p3068, 4p, 6 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
5
Akademický článek
Optical properties of iron doped AlxGa1-xAs alloys.
Autor: Wang, Zhan-Guo, Ledebo, L-Å., Grimmeiss, H. G.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Nov1984, Vol. 56 Issue 10, p2762-2767, 6p
Zobrazit plný text záznamu
6
Akademický článek
Deep energy levels in ZnSxSe1-x alloys.
Autor: Grimmeiss, H. G., Meijer, E., Mach, R., Müller, G. O.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Nov1984, Vol. 56 Issue 10, p2768-2777, 10p
Zobrazit plný text záznamu
7
Akademický článek
Dynamics of capture from free-carrier tails in depletion regions and its consequences in junction experiments.
Autor: Meijer, E., Grimmeiss, H. G., Ledebo, L-Å.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Jun1984, Vol. 55 Issue 12, p4266-4274, 9p
Zobrazit plný text záznamu
8
Akademický článek
Deep level transient spectroscopy evaluation of nonexponential transients in semiconductor alloys.
Autor: Omling, P., Samuelson, L., Grimmeiss, H. G.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Sep1983, Vol. 54 Issue 9, p5117-5122, 6p
Zobrazit plný text záznamu
9
Akademický článek
Electrical properties of Fe in GaAs.
Autor: Kleverman, M., Omling, P., Ledebo, L-Å., Grimmeiss, H. G.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Feb1983, Vol. 54 Issue 2, p814-819, 6p
Zobrazit plný text záznamu
10
Akademický článek
Diffusion of tellurium dopant in silicon.
Autor: Janzén, E., Grimmeiss, H. G., Lodding, A., Deline, Ch.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Nov1982, Vol. 53 Issue 11, p7367-7371, 5p
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje