Zobrazeno 1 - 10
of 10
pro vyhledávání: '"Grimaldi, Maria G."'
Autor:
Tran, Tuan T., Wong-Leung, Jennifer, Smillie, Lachlan A., Hallen, Anders, Grimaldi, Maria G., Williams, Jim S.
Covalent amorphous semiconductors, such as amorphous silicon (a-Si) and germanium (a-Ge), are commonly believed to have localized electronic states at the top of the valence band and the bottom of the conduction band. Electrical conductivity is thoug
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1908.08246
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Romano, Lucia, Piro, Alberto M., Napolitani, Enrico, Bisognin, Gabriele, Spada, Aldo, Grimaldi, Maria G., Rimini, Emanuele
Publikováno v:
In Nuclear Inst. and Methods in Physics Research, B 2004 219:727-731
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.