Zobrazeno 1 - 10
of 73
pro vyhledávání: '"Grieb, M"'
Performance Analysis of a Water-Injected Twin-Screw Compressor in a High-Temperature R718 Heat Pump.
Publikováno v:
IOP Conference Series: Materials Science & Engineering; 2024, Vol. 1322 Issue 1, p1-11, 11p
Autor:
Grieb, M, Brümmer, A
Publikováno v:
IOP Conference Series: Materials Science & Engineering; 2024, Vol. 1322 Issue 1, p1-9, 9p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
In Neuropharmacology February 2013 65:83-89
Charge trapping memory structures with Al 2O 3 trapping dielectric for high-temperature applications
Autor:
Specht, M., Reisinger, H., Hofmann, F., Schulz, T., Landgraf, E., Luyken, R.J., Rösner, W., Grieb, M., Risch, L.
Publikováno v:
In Solid State Electronics 2005 49(5):716-720
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Weber, T., Schmidt, L., Grieb, M., Pongthanacharoenkul, N., Podlowski, L., Grunow, P., Xuereb, S.
36th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition; 1073-1078
Thin-Film (TF) modules are diverse in their technologies, module designs and module types. We estimate a current cumulated installed TF capacity of 18 to 26 GW (4-5% of
Thin-Film (TF) modules are diverse in their technologies, module designs and module types. We estimate a current cumulated installed TF capacity of 18 to 26 GW (4-5% of
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::a81e29b620002a42f6a5698e0ab77f2a
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Reliability of nitrided gate oxides for N- and P-type 4H-SiC(0001) metal-oxide-semiconductor devices
In this paper, we have investigated reliability of n- and p-type 4H-SiC(0001) metal-oxide-semiconductor (MOS) devices with N2O-grown oxides and deposited oxides annealed in N2O. From the results of time-dependent dielectric breakdown (TDDB) tests, it
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od_______610::32903ec4fcf1da139dce8312588f64e3
https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/226665
https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/226665