Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

III-V nanostructures with different dimensionality on silicon

Autor: Reznik, R.R., Kotlyar, K.P., Gridchin, V.O., Ilkiv, I.V., Khrebtov, A.I., Samsonenko, Yu B., Soshnikov, I.P., Kryzhanovskaya, N.V., Leandro, L, Akopian, N, Cirlin, G.E.

Publikováno v: Reznik, R R, Kotlyar, K P, Gridchin, V O, Ilkiv, I V, Khrebtov, A I, Samsonenko, Y B, Soshnikov, I P, Kryzhanovskaya, N V, Leandro, L, Akopian, N & Cirlin, G E 2021, ' III-V nanostructures with different dimensionality on silicon ', Journal of Physics: Conference Series, vol. 2103, no. 1, 012121 . https://doi.org/10.1088/1742-6596/2103/1/012121

The possibility of AlGaAs nanowires with GaAs quantum dots and InP nanowires with InAsP quantum dots growth by molecular-beam epitaxy on silicon substrates has been demonstrated. Results of GaAs quantum dots optical properties studies have shown that

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______1202::ce5dac1b9d41a8f71cc08d801453afa7
https://orbit.dtu.dk/en/publications/a4f3ca8a-cb22-45d8-b4cb-1fb0e4e058af

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.