Výsledky vyhledávání - "Grelsson, Ö."

Akademický článek

Ultrashallow diffused n+p junction using antimony for device applications.

Autor: Söderbärg, A., Grelsson, Ö., Magnusson, U.

Publikováno v: Journal of Applied Physics; 6/15/1990, Vol. 67 Issue 12, p7413, 4p, 2 Diagrams, 1 Chart, 5 Graphs

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Investigations of evaporated silicon p-n junctions and their application to junction field-effect transistors.

Autor: Tirén, J., Grelsson, Ö., Söderbärg, A., Magnusson, U., Norde, H., Svensson, B. G., Mohadjeri, B., Berg, S.

Publikováno v: Journal of Applied Physics; 2/15/1990, Vol. 67 Issue 4, p2148, 5p

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Bulk silicon technology for complementary MESFETs.

Autor: Magnusson, U., Tiren, J., Söderbärg, A., Rosling, M., Grelsson, Ö., Bleichner, H., Nylander, J.O., Berg, S.

Publikováno v: Electronics Letters (Institution of Engineering & Technology); 04/27/1989, Vol. 25 Issue 9, p565-566, 2p

Zobrazit plný text záznamu

Conference

Activation of Sb in Ultra-Shallow Poly-Silicon Emitters Using Rapid Thermal Processing.

Autor: Grelsson, Ö., Söderbärg, A., Magnusson, U., Olsson, J., Mohadjeri, B.

Publikováno v: MRS Online Proceedings Library; 01/06/1991, Vol. 224, pN.PAG-1, 1p

Zobrazit plný text záznamu

Conference

Investigations of an Antimony Doped Poly-Silicon Gate Structure for P-Type JFET Applications.

Autor: SÖDERBÄrg, Anders, Grelsson, Ö., Magnusson, U.

Publikováno v: MRS Online Proceedings Library; 01/03/1990, Vol. 182, pN.PAG-1, 1p

Zobrazit plný text záznamu