Zobrazeno 1 - 10 of 10 pro vyhledávání: '"Gregusˇová, D."'
1
Akademický článek
Trap states in AlGaN/GaN metal-oxide-semiconductor structures with Al2O3 prepared by atomic layer deposition.
Autor: Gregusˇová, D., Stoklas, R., Mizue, Ch., Hori, Y., Novák, J., Hashizume, T., Kordosˇ, P.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Jun2010, Vol. 107 Issue 10, p106104-106107, 3p, 3 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
3
Akademický článek
Defect states characterization of non-annealed and annealed ZrO2/InAlN/GaN structures by capacitance measurements.
Autor: Kordosˇ, P., Stoklas, R., Gregusˇová, D., Husˇeková, K., Carlin, J.-F., Grandjean, N.
Publikováno v: Applied Physics Letters; 2/11/2013, Vol. 102 Issue 6, p063502, 4p, 4 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
4
Akademický článek
Electrical properties of InAlN/GaN high electron mobility transistor with Al2O3, ZrO2, and GdScO3 gate dielectrics.
Autor: Cˇicˇo, K., Husˇeková, K., Tˇapajna, M., Gregusˇová, D., Stoklas, R., Kuzmík, J., Carlin, J.-F., Grandjean, N., Pogany, D., Fröhlich, K.
Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology: Part B-Nanotechnology & Microelectronics; Jan2011, Vol. 29 Issue 1, p01A808, 5p
Zobrazit plný text záznamu
5
Akademický článek
Performance of AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor heterostructure field-effect transistors with AlN gate insulator prepared by reactive magnetron sputtering.
Autor: Stoklas, R., Gregusˇová, D., Gazˇi, Sˇ., Novák, J., Kordosˇ, P.
Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology: Part B-Nanotechnology & Microelectronics; Jan2011, Vol. 29 Issue 1, p01A809, 4p
Zobrazit plný text záznamu
6
Akademický článek
Aluminum oxide as passivation and gate insulator in GaAs-based field-effect transistors prepared in situ by metal-organic vapor deposition.
Autor: Kordosˇ, P., Kúdela, R., Stoklas, R., Cˇicˇo, K., Mikulics, M., Gregusˇová, D., Novák, J.
Publikováno v: Applied Physics Letters; 4/2/2012, Vol. 100 Issue 14, p142113, 3p, 1 Chart, 4 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
8
Akademický článek
Investigation of trapping effects in AlGaN/GaN/Si field-effect transistors by frequency dependent capacitance and conductance analysis.
Autor: Stoklas, R., Gregusˇová, D., Novák, J., Vescan, A., Kordosˇ, P.
Publikováno v: Applied Physics Letters; 9/22/2008, Vol. 93 Issue 12, p124103, 3p, 4 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
9
Akademický článek
Improved transport properties of Al2O3/AlGaN/GaN metal-oxide-semiconductor heterostructure field-effect transistor.
Autor: Kordosˇ, P., Gregusˇová, D., Stoklas, R., Cˇicˇo, K., Novák, J.
Publikováno v: Applied Physics Letters; 3/19/2007, Vol. 90 Issue 12, p123513-1, 3p, 3 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
10
Akademický článek
Frontiers of graphene-based Hall-effect sensors.
Autor: Collomb, David, Li, Penglei, Bending, Simon
Publikováno v: Journal of Physics: Condensed Matter; 6/16/2021, Vol. 33 Issue 24, p1-22, 22p
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje