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Autor:
Lefebvre, P., Albert, Steven, Ristic, Jelena, Fernández-Garrido, Sergio, Grandal Quintana, Javier, Sánchez García, Miguel Angel, Calleja Pardo, Enrique
Publikováno v:
Proceedings of E-MRS Srping Meeting | E-MRS Srping Meeting | 10/05/2011-12/05/2011 | Niza, Francia
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• GaN NCs on Si • PA-MBE • Diameters 20 – 60 nm • Lengths 0.6 – 1.2 µm • Unstrained • PL lines correlate to NC coalescence, EXCEPT the 3.45 eV doublet
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::e8136b46849d3b851e0d808b67c6adc9
https://oa.upm.es/13541/
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Autor:
Rani Mutta, Geeta, Guillet, Bruno, Mechim, Laurence, Vilalta Clemente, Arantxa, Grandal Quintana, Javier, Sánchez García, Miguel Angel, Martin Horcajo, Sara, Calle Gómez, Fernando
Publikováno v:
Proceedings of 21st International Conference on Noise and Fluctuations | 21st International Conference on Noise and Fluctuations | 12/06/2011-16/06/2011 | Toronto, EEUU
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Due to its small band-gap and its high mobility, InN is a promising material for a large number of key applications like band-gap engineering for high efficiency solar cells, light emitting diodes, and high speed devices. Unfortunately, it has been r
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::19b3316225c57d41588ef62b9dfc7704
http://oa.upm.es/12919/
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Autor:
Grandal Quintana, Javier
Publikováno v:
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Los nitruros del grupo III (InN, GaN y AlN) se han asentado como semiconductores importantes para la fabricación de dispositivos optoelectrónicos gracias al amplio rango de la banda prohibida ("bandgap") de estos materiales (0.7-6.2 eV) y a que dic
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::9185076c8093dc5ae57293758f286846
https://oa.upm.es/33751/
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Autor:
Bailey, L.R., King, P.D.C., Veal, T.D., McConville, Chris F., Pereiro Viterbo, Juan, Grandal Quintana, Javier, Sánchez García, Miguel Angel, Muñoz Merino, Elias, Calleja Pardo, Enrique
Publikováno v:
Journal of Applied Physics, ISSN 0021-8979, 2008-01, Vol. 104, No. 11
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The band bending and carrier concentration profiles as a function of depth below the surface for oxidized InxGa1−xN alloys with a composition range of 0.39 ≤ x ≤ 1.00 are investigated using x-ray photoelectron, infrared reflection, and optical
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::a5216a07389baa7f8317f3900092020d
https://oa.upm.es/2548/
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En este trabajo hemos crecido los bloques funcionales que constituyen un dispositivo fotovoltaico basado en la familia de semiconductores compuestos conocidad como los nitruros, centrándonos en las películas de InGaN no dopadas intencionadamente (N
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::8100bd8ae3827d325f98c1dd0dba4e49
https://oa.upm.es/47344/
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