Zobrazeno 1 - 10
of 109
pro vyhledávání: '"Grahn, Jan"'
Autor:
Rodrigues, Isabel Harrysson, Niepce, David, Pourkabirian, Arsalan, Moschetti, Giuseppe, Schleeh, Joel, Bauch, Thilo, Grahn, Jan
The InGaAs-InAlAs-InP high electron mobility transistor (InP HEMT) is the preferred active device used in a cryogenic low noise amplifier (LNA) for sensitive detection of microwave signals. We observed that an InP HEMT 0.3-14GHz LNA at 2K, where the
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1904.12757
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques; 2024, Vol. 72 Issue: 3 p1606-1617, 12p
Autor:
Moschetti, Giuseppe, Lefebvre, Eric, Fagerlind, Martin, Nilsson, Per-Åke, Desplanque, Ludovic, Wallart, Xavier, Grahn, Jan
Publikováno v:
In Solid State Electronics September 2013 87:85-89
Autor:
Moschetti, Giuseppe, Abbasi, Morteza, Nilsson, Per-Åke, Hallén, Anders, Desplanque, Ludovic, Wallart, Xavier, Grahn, Jan
Publikováno v:
In Solid State Electronics January 2013 79:268-273
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Moschetti, Giuseppe, Wadefalk, Niklas, Nilsson, Per-Åke, Roelens, Yannick, Noudeviwa, Albert, Desplanque, Ludovic, Wallart, Xavier, Danneville, Francois, Dambrine, Gilles, Bollaert, Sylvain, Grahn, Jan
Publikováno v:
In Solid State Electronics 2011 64(1):47-53