Le Transistor hyperfréquence à effet de champ à grille métallique sur arséniure de gallium : propriétés statiques et dynamiques, petits signaux, analyse des phénomènes de bruit de fond.

Autor: Graffeuil, Jacques.

Th.--Sci., électronique--Toulouse 3, 1977. N°: 771.

Externí odkaz: http://catalogue.bnf.fr/ark:/12148/cb36072689c

Methodology for accurate diagnostic of defects in III-N HEMT technologiesNon-destructive and destructive experimental tools-electrical and T-CAD models

Autor: Tartarin, Jean-Guy, Saugnon, Damien, Graffeuil, Jacques, Bary, Laurent

Publikováno v: IEEE Mediterranean Electrotechnical Conference (IEEE MELECON)
IEEE Mediterranean Electrotechnical Conference (IEEE MELECON), May 2018, Marrakech, Morocco. 5p

International audience; III-V wide bandgap disruptive technology is firmly positioned as a leader for high power segments operating at high frequency or under switching mode. Still, it is needed to investigate these transistors to push the maturity t

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::81eba0b74a1e4e6e875a81a1ecde456c
https://hal.laas.fr/hal-01877587/document

METHODES ET OUTILS EXPERIMENTAUX DEDIES A L'ANALYSE COMPORTEMENTALE DES DISPOSITIFS ACTIFS DES HAUTES FREQUENCES

Autor: Tartarin, Jean-Guy, Bary, Laurent, Rumeau, Alexandre, Franc, Bernard, Escotte, Laurent, Graffeuil, Jacques

Publikováno v: TELECOM & JFMMA 2015
TELECOM & JFMMA 2015, May 2015, Meknes, Maroc

International audience; Ces travaux synthétisent des études basées sur l'exploitation d'un ensemble de moyens expérimentaux développés spécifiquement au sein de notre laboratoire, et de bancs de test du commerce, dans l'objectif de l'analyse d

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::f9246006b0ea4c78eb5538885ff03b28
https://hal.laas.fr/hal-02088182/document

Carrier’s transport mechanisms investigations in AlGaN/GaN HEMT thanks to physical modelling and low frequency noise measurements

Autor: Soubercaze-Pun, Geoffroy, Tartarin, Jean-Guy, Bary, Laurent, Delage, S, Plana, Robert, Graffeuil, Jacques

Publikováno v: Soubercaze-Pun, G. ; Tartarin, J.G. ; Bary, L. ; Delage, S. L. ; Plana, R. ; Graffeuil, J. (2004) Carrier’s transport mechanisms investigations in AlGaN/GaN HEMT thanks to physical modelling and low frequency noise measurements. In: Gallium Arsenide applications symposium. GAAS 2004, 11—12 Ottobre, Amsterdam.
Proceedings of the 12th Gallium Arsenide and other Compound Semiconductors Application Symposium
12th Gallium Arsenide and other Compound Semiconductors Application Symposium (GAAS 2004)
12th Gallium Arsenide and other Compound Semiconductors Application Symposium (GAAS 2004), Oct 2004, Amsterdam, Netherlands. pp.161-162

International audience; This paper deals with the carrier's transport mode involved in AlGaN/GaN HEMT grown on sapphire substrate according to biasing conditions. Low frequency noise measurements on the drain current source are found to be closely re

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::cf5fcc6e3f1c4fd5aab3c59000a6a2e3

Bruit dans les nouveaux composants et matériaux ou bruit fiabilité

Autor: Tartarin, Jean-Guy, Soubercaze-Pun, Geoffroy, Rennane, Abdelali, Bary, Laurent, Plana, Robert, De Jaeger, J.C., Delage, S., Graffeuil, Jacques

Publikováno v: Workshop Action Spécifique Bruit : Bruit en régime linéaire et non-linéaire dans les composants et circuits de télécommunications
Workshop Action Spécifique Bruit : Bruit en régime linéaire et non-linéaire dans les composants et circuits de télécommunications, 2004, La Grande Motte, France

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::20e103d508923e6477a524c782b7755c
https://hal.science/hal-00141964