Zobrazeno 1 - 10
of 34
pro vyhledávání: '"Grady, Ryan W."'
Publikováno v:
Nano Letters (2022)
Strain engineering is an important method for tuning the properties of semiconductors and has been used to improve the mobility of silicon transistors for several decades. Recently, theoretical studies have predicted that strain can also improve the
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2205.03950
Publikováno v:
Adv. Electron. Mater., 2201342, 2023
Achieving good electrical contacts is one of the major challenges in realizing devices based on atomically thin two-dimensional (2D) semiconductors. Several studies have examined this hurdle, but a universal understanding of the contact resistance an
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2110.02563
Autor:
Daus, Alwin, Vaziri, Sam, Chen, Victoria, Koroglu, Cagil, Grady, Ryan W., Bailey, Connor S., Lee, Hye Ryoung, Brenner, Kevin, Schauble, Kirstin, Pop, Eric
Publikováno v:
Nature Electronics (2021)
Two-dimensional (2D) semiconducting transition metal dichalcogenides (TMDs) are good candidates for high-performance flexible electronics. However, most demonstrations of such flexible field-effect transistors (FETs) to date have been on the micron s
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2009.04056
Autor:
Schauble, Kirstin, Zakhidov, Dante, Yalon, Eilam, Deshmukh, Sanchit, Grady, Ryan W., Cooley, Kayla A., McClellan, Connor J., Vaziri, Sam, Passarello, Donata, Mohney, Suzanne E., Toney, Michael F., Sood, A. K., Salleo, Alberto, Pop, Eric
Publikováno v:
ACS Nano 14, 14798-14808 (2020)
Metal contacts are a key limiter to the electronic performance of two-dimensional (2D) semiconductor devices. Here we present a comprehensive study of contact interfaces between seven metals (Y, Sc, Ag, Al, Ti, Au, Ni, with work functions from 3.1 to
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2007.14431
Autor:
Neumann, Christopher M., Okabe, Kye L., Yalon, Eilam, Grady, Ryan W., Wong, H. -S. Philip, Pop, Eric
Phase change memory (PCM) is an emerging data storage technology, however its programming is thermal in nature and typically not energy-efficient. Here we reduce the switching power of PCM through the combined approaches of filamentary contacts and t
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1903.00602
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Nano Letters; 10/26/2022, Vol. 22 Issue 20, p8052-8059, 8p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.