Zobrazeno 1 - 2
of 2
pro vyhledávání: '"Gracie E. Davis"'
Publikováno v:
IEEE Transactions on Nuclear Science. 34:1692-1697
Total dose characteristics of the buried insulator in implanted silicon-on-insulator (SOI) substrates have been studied using MOS transistors. The threshold voltage shift of the parasitic back channel transistor, which is controlled by charge trappin
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::a2764858e6478ed35181eabf1396eb3d
https://doi.org/10.1109/tns.1987.4337538
https://doi.org/10.1109/tns.1987.4337538
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.