Zobrazeno 1 - 8
of 8
pro vyhledávání: '"Gracie E. Davis"'
Publikováno v:
IEEE Transactions on Nuclear Science. 34:1692-1697
Total dose characteristics of the buried insulator in implanted silicon-on-insulator (SOI) substrates have been studied using MOS transistors. The threshold voltage shift of the parasitic back channel transistor, which is controlled by charge trappin
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::a2764858e6478ed35181eabf1396eb3d
https://doi.org/10.1109/tns.1987.4337538
https://doi.org/10.1109/tns.1987.4337538
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
1990 IEEE SOS/SOI Technology Conference Proceedings; 1990, p01, 1p
Publikováno v:
1983 International Electron Devices Meeting; 1983, p202-205, 4p
Publikováno v:
IEEE Transactions on Nuclear Science; 1987, Vol. 34 Issue 6, p1-28, 28p
Publikováno v:
IEEE Circuits & Systems Magazine; Q4 2003, Vol. 3 Issue 4, p27-29, 3p
Publikováno v:
IEEE Transactions on Nuclear Science; 1987, Vol. 34 Issue 6, p1122-1122, 1p
Publikováno v:
IEEE Transactions on Nuclear Science; 1987, Vol. 34 Issue 6, p1122-1122, 1p