Zobrazeno 1 - 10 of 155 pro vyhledávání: '"Gouskov, L."'
1
Akademický článek
Noise equivalent power calculation: Application to Ga0.96Al0.04Sb avalanche photodiodes.
Autor: Luquet, H., Gouskov, L., Pérotin, M., Jean, A., Magallon, D., Lahbabi, M., Bougnot, G.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 12/1/1988, Vol. 64 Issue 11, p6541, 5p, 2 Charts, 4 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
2
Akademický článek
Liquid-phase-epitaxial growth of Ga0.96Al0.04Sb[ATOTHER]@B:[/ATOTHER]Electrical and photoelectrical characterizations.
Autor: Luquet, H., Gouskov, L., Perotin, M., Jean, A., Rjeb, A., Zarouri, T., Bougnot, G.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 11/15/1986, Vol. 60 Issue 10, p3582, 10p, 2 Black and White Photographs, 2 Diagrams, 4 Charts, 17 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
3
Akademický článek
Si-implanted n+-InP/p-InP junctions: Electrical characterization and noise.
Autor: Conjeaud, A. L., Orsal, B., Dhouib, A., Alabedra, R., Gouskov, L.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 3/1/1986, Vol. 59 Issue 5, p1707, 7p
Zobrazit plný text záznamu
4
Akademický článek
Gold/Ga0.85Al0.15Sb Schottky diodes.
Autor: Gouskov, L., Boustani, M., Luquet, H., Bougnot, G., Bastide, L., Baya’a, D.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 10/15/1985, Vol. 58 Issue 8, p3211, 6p, 9 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
5
Akademický článek
Electron diffusion lengths in p-type InP involved in indium tin oxide/p-InP solar cells.
Autor: Gouskov, L., Luquet, H., Soonckindt, L., Oemry, A., Boustani, M., Nguyen, P. H.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Oct1982, Vol. 53 Issue 10, p7014-7019, 6p
Zobrazit plný text záznamu
6
Akademický článek
Near-infrared electroabsorption in p+/n-/n+ GaSb diodes.
Autor: Gouskov, L., Pérotin, M., Almuneau, G., Luquet, H.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 1/1/1996, Vol. 79 Issue 1, p49, 4p
Zobrazit plný text záznamu
7
Akademický článek
Dependence of impact ionization coefficients on electric-field profile and injection mode approximations.
Autor: Luquet, H., Gouskov, L., Pérotin, M., Karim, M., Rmou, A., Mottet, S.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 7/1/1993, Vol. 74 Issue 1, p635, 4p, 2 Diagrams, 6 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
8
Akademický článek
Be+ ion implantation in Ga0.96Al0.04Sb epitaxial layers.
Autor: Pérotin, M., Gouskov, L., Luquet, H., Abiale Abi, P., Sabir, A., Pérez, A.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 10/15/1990, Vol. 68 Issue 8, p3856, 5p, 2 Charts, 9 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
9
Akademický článek
Ionization coefficients in Ga0.96Al0.04Sb.
Autor: Luquet, H., Pérotin, M., Gouskov, L., Llinares, C., Archidi, H., Lahbabi, M., Karim, M., Mbow, B.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 10/15/1990, Vol. 68 Issue 8, p3861, 4p, 1 Chart, 6 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
10
Akademický článek
Residual acceptors in natural GaSb and Gaxln1-xSb; their contribution to transport between 4.7 and 300 °K.
Autor: Campos, M. D'Olne, Gouskov, A., Gouskov, L., Pons, J. C.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Jun1973, Vol. 44 Issue 6, p2642-2646, 5p
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje