Zobrazeno 1 - 10
of 10
pro vyhledávání: '"Gouget, Gilles"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Pradeep, Krishna, Poiroux, Thierry, Scheer, Patrick, Juge, André, Gouget, Gilles, Ghibaudo, Gérard
Publikováno v:
In Solid State Electronics July 2018 145:19-28
Autor:
Rink, Sven, Kammerer, Jean-Baptiste, Quenette, Vincent, Uhring, Wilfried, Gouget, Gilles, Manouvrier, Jean-Robert, Lallement, Christophe
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices; January 2024, Vol. 71 Issue: 1 p331-336, 6p
Publikováno v:
In Microelectronics Reliability August 2016 63:90-96
Autor:
Rideau, Denis, Uhring, Wilfried, Hellebois, Rémi, Manouvrier, Jean-Robert, Neri, Raphael, Brun, F., Dolatpoor Lakeh, Mohammadreza, Rink, Sven, Kammerer, Jean-Baptiste, Lallement, Christophe, Lacombe, Elsa, Golanski, Dominique, Rae, Bruce, Bah, T.-M., Twaddle, T. M., Quenette, Vincent, Génier Marchand, D., Buj, C., Fillon, R., Henrion, Y., Nicholson, Isobel, Agnew, Megan, Basset, Michel, Perrier, R., Al-Rawhani, M., Mamdy, Bastien, Pellegrini, Sara, Gouget, Gilles, Maciazek, P., Juge, André, Dartigues, Alexandre
Publikováno v:
Essderc 2023, Lisbon, Portugal
Essderc 2023, Lisbon, Portugal, 2023, Lisbonne, Portugal
Essderc 2023, Lisbon, Portugal, 2023, Lisbonne, Portugal
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od_______165::4a6f85c0634c2970660d6be7ae63e9a9
https://hal.science/hal-04118005
https://hal.science/hal-04118005
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
El Ghouli, Salim, Rideau, Denis, Monsieur, Frederic, Scheer, Patrick, Gouget, Gilles, Juge, Andre, Poiroux, Thierry, Sallese, Jean-Michel, Lallement, Christophe
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices; Jan2018, Vol. 65 Issue 1, p11-18, 8p
Autor:
Guegan, Georges, Gwoziecki, Romain, Gonnard, Olivier, Gouget, Gilles, Raynaud, Christine, Casse, Mikael, Deleonibus, Simon
Publikováno v:
MRS Online Proceedings Library; 2006, Vol. 913 Issue 1, p1-6, 6p
Autor:
El Ghouli, Salim, Rideau, Denis, Monsieur, Frederic, Scheer, Patrick, Gouget, Gilles, Juge, Andre, Poiroux, Thierry, Sallese, Jean-Michel, Lallement, Christophe
Transconductance efficiency (g(m)/I-D) is an essential design synthesis tool for low-power analog and RF applications. In this paper, the invariance of g(m)/I-D versus normalized drain current curve is analyzed in an asymmetric double-gate (DG) fully
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od_______185::6a86a0bed99ae03e86e72ba1a061835d
https://infoscience.epfl.ch/record/234038
https://infoscience.epfl.ch/record/234038
Autor:
Guegan, Georges, Pretet, Jeremy, Gwoziecki, Romain, Gonnard, Olivier, Gouget, Gilles, Touret, Patricia, Raynaud, Christine, Deleonibus, Simon
Publikováno v:
ECS Transactions; April 2007, Vol. 6 Issue: 4