Výsledky vyhledávání

Akademický článek

Influence of Carbon Source on the Buffer Layer for 4H-SiC Homoepitaxial Growth.

Autor: Yang, Shangyu^1,2 (AUTHOR) yangsy@semi.ac.cn, Guo, Ning^1,2 (AUTHOR) guoning@semi.ac.cn, Zhao, Siqi^1,2 (AUTHOR) zhaosiqi@semi.ac.cn, Li, Yunkai^1,2 (AUTHOR) liyunkai@semi.ac.cn, Wei, Moyu^1,2 (AUTHOR) weimoyu@semi.ac.cn, Zhang, Yang^1,2,3 (AUTHOR) zhang_yang@semi.ac.cn, Liu, Xingfang^1,2,3 (AUTHOR) zhang_yang@semi.ac.cn

Publikováno v: Materials (1996-1944). Jun2024, Vol. 17 Issue 11, p2612. 13p.

Zobrazit plný text záznamu

Plný text ve formátu HTML

Periodical

Correlation of Lifetime Mapping of 4H-SiC Epilayers with Structural Defects Using Synchrotron X-Ray Topography

Autor: Goue, O.Y., Yang, Yu, Guo, J.Q., Raghothamachar, Balaji, Dudley, Michael, Hosteller, J.L., Myers-Ward, Rachael L., Klein, Paul B., Gaskill, D. Kurt

Publikováno v: Materials Science Forum; May 2016, Vol. 858 Issue: 1 p297-300, 4p

Zobrazit plný text záznamu

Periodical

Mapping of Threading Screw Dislocations in 4H n-Type SiC Wafers

Autor: Ellison, Alexandre, Sörman, Erik, Sundqvist, Björn, Magnusson, Björn, Yang, Yu, Guo, Jian Qiu, Goue, O.Y., Raghothamachar, Balaji, Dudley, Michael

Publikováno v: Materials Science Forum; May 2016, Vol. 858 Issue: 1 p376-379, 4p

Zobrazit plný text záznamu

Periodical

Synchrotron X-Ray Topography Analysis of Double Shockley Stacking Faults in 4H-SiC Wafers

Autor: Yang, Yu, Guo, Jianqiu, Goue, O.Y., Raghothamachar, Balaji, Dudley, Michael, Chung, Gil Y., Sanchez, Edward, Quast, Jeffrey, Manning, Ian, Hansen, Darren

Publikováno v: Materials Science Forum; May 2016, Vol. 858 Issue: 1 p105-108, 4p

Zobrazit plný text záznamu

Periodical

Using Ray Tracing Simulations for Direct Determination of Burgers Vectors of Threading Mixed Dislocations in 4H-SiC c-Plane Wafers Grown by PVT Method

Autor: Guo, Jian Qiu, Yang, Yu, Wu, Fang Zhen, Sumakeris, Joseph J., Leonard, R.T., Goue, O.Y., Raghothamachar, Balaji, Dudley, Michael

Publikováno v: Materials Science Forum; May 2016, Vol. 858 Issue: 1 p15-18, 4p

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Conference

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Conference

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání