Výsledky vyhledávání - "Gotzeina, W."

16 x 16 bit parallel multiplier based on 6 K gate array with 0.3 μm AlGaAs/GaAs quantum well transistors

Autor: Thiede, Andreas, Berroth, Manfred, Hurm, Volker, Nowotny, Ulrich, Seibel, Jörg, Gotzeina, W., Sedler, Martin, Raynor, Brian, Köhler, Klaus, Hofmann, Peter, Hülsmann, Axel, Kaufel, Gudrun, Schneider, Joachim

The design and performance of a 16x16 bit parallel multiplier based on a 6 K gate array will be presented. This LSI semicustom IC demonstrates the high potential of the authors' AlGaAs/GaAs quantum well FETs with a gate length of 0.3 μm. The best mu

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::c11849ad838fa010dd7deb6e586ac6b7

Zobrazit plný text záznamu

15 Gbit/s integrated laser diode driver using 0,3 mym gate length quantum well transistors

Autor: Nowotny, U., Gotzeina, W., Hofmann, P., Hülsmann, A., Raynor, B., Schneider, J., Berroth, M., Kaufel, G., Köhler, K., Wang, Z.-G.

An integrated laser diode driver was realised using enhancement/depletion 0.3 Mym recessed-gate AlGaAs/GaAs quantum well transistors. Fully-open eye diagrams were observed at bit rates up to 10Gbit/s with 50 Omega loads. The maximum DC and modulation

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od_______610::2d196ae85a2bd9a665276788fd4b7d55
https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/180956

Zobrazit plný text záznamu

16 x 16 bit parallel multiplier based on 6 K gate array with 0.3 μm AlGaAs/GaAs quantum well transistors

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od_______350::770c8efdb5321640fb51afd14724af14
http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:93-opus-92393

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

16×16 bit parallel multiplier based on 6 K gate array with 0.3 μm AlGaAs/GaAs quantum well transistors.

Autor: Thiede, A., Berroth, M., Hurm, V., Nowotny, U., Seibel, J., Gotzeina, W., Sedler, M., Raynor, B., Koehler, K., Hofmann, P., Huelsmann, A., Kaufel, G., Schneider, J.

Publikováno v: Electronics Letters (Institution of Engineering & Technology); 05/21/1992, Vol. 28 Issue 11, p1005-1007, 3p

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

15 Gbit/s integrated laser diodedriver using 0.3 μm gate lengthquantum well transistors.

Autor: Wang, Z.-G., Berroth, M., Nowotny, U., Gotzeina, W., Hofmann, P., Hülsmann, A., Kaufel, G., Köhler, K., Raynor, B., Schneider, J.

Publikováno v: Electronics Letters (Institution of Engineering & Technology); 01/30/1992, Vol. 28 Issue 3, p222-224, 3p

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání