Zobrazeno 1 - 10 of 57 pro vyhledávání: '"Gossard, J L"'
1
Akademický článek
Characterization of InAs/GaSb superlattices grown by MOCVD with atomic resolution.
Autor: Li, Xin, Cui, Jie, Zhao, Yu, Wu, Qihua, Teng, Yan, Hao, Xiujun, Chen, Ying, Liu, Jiafeng, Zhu, He, Huang, Yong, Yao, Yuan
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 1/31/2020, Vol. 127 Issue 4, p1-6, 6p, 1 Diagram, 1 Chart, 5 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
2
Periodical
GUIDELINES FOR SELECTION AND USE OF PHYSICAL PERFORMANCE MEASURES WITH OLDER ADULTS.
Autor: Brotherton, S S, Williams, H G, Gossard, J L, Hussey, J R, McClenaghan, B A
Publikováno v: Journal of Geriatric Physical Therapy; January 2002, Vol. 25 Issue: 3 p41-42, 2p
Zobrazit plný text záznamu
4
Akademický článek
On the origin of the electron accumulation layer at clean InAs(111) surfaces.
Autor: Vrubel, Ivan I., Yudin, Dmitry, Pervishko, Anastasiia A.
Publikováno v: Physical Chemistry Chemical Physics (PCCP); 2/28/2021, Vol. 23 Issue 8, p4811-4817, 7p
Zobrazit plný text záznamu
5
Akademický článek
Band parameters for III-V compound semiconductors and their alloys.
Autor: Vurgaftman, I., Meyer, J. R., Ram-Mohan, L. R.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 6/1/2001, Vol. 89 Issue 11, p5815, 61p, 31 Charts, 13 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
8
Akademický článek
Determination of interface structure and atomic arrangements for strained InAs/Ga1-xInxSb superlattices by high-resolution transmission electron microscopy.
Autor: Maohua Quan, Fengyun Guo, Meicheng Li, Liancheng Zhao
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Oct2010, Vol. 108 Issue 6, p064508, 3p, 1 Black and White Photograph, 1 Diagram, 1 Graph
Zobrazit plný text záznamu
9
Akademický článek
Silicon-Modified Rare-Earth Transitions-A New Route to Near- and Mid-IR Photonics.
Autor: Lourenço, Manon A., Hughes, Mark A., Lai, Khue T., Sofi, Imran M., Ludurczak, Willy, Wong, Lewis, Gwilliam, Russell M., Homewood, Kevin P.
Publikováno v: Advanced Functional Materials; 3/22/2016, Vol. 26 Issue 12, p1986-1994, 9p
Zobrazit plný text záznamu
10
Akademický článek
Diffusion current characteristics of defect-limited nBn mid-wave infrared detectors.
Autor: Savich, G. R., Sidor, D. E., Du, X., Morath, C. P., Cowan, V. M., Wicks, G. W.
Publikováno v: Applied Physics Letters; 4/30/2015, Vol. 106 Issue 17, p1-4, 4p, 5 Graphs
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje