Zobrazeno 1 - 10
of 118
pro vyhledávání: '"Gordon, C. H."'
Autor:
Teresa Tse, Carlos King Ho Wong, Herbert Ho-fung Loong, Yihui Wei, Sampson Sui Chun Kwan, Yingjun Zhang, Yat-Ming Lau, Linda K S Leung, Gordon C H Tang
Publikováno v:
ESMO Open, Vol 5, Iss 6 (2020)
Background The prognostic impact of comorbidities in patients with sarcomas is not well defined. The aims of this study were to examine the implications of comorbidities and abnormal peripheral blood indices in patients with sarcomas.Methods A popula
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/11c3d34c473c48dba9509ec81618e2e3
Autor:
Gordon, C. H.
Publikováno v:
The American Naturalist, 1890 Apr 01. 24(280), 305-313.
Externí odkaz:
https://www.jstor.org/stable/2450984
Publikováno v:
Congress Volume Jerusalem 1986. 40:284-284
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Richard Kenneth Oxland, Gerben Doornbos, Gordon C. H. Hsieh, Yee-Chia Yeo, Ta-Kun Chen, Martin Christopher Holland, Matthias Passlack, Blandine Duriez, Aryan Afzalian, Georgios Vellianitis, Mark J. H. van Dal
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 4, Iss 5, Pp 253-259 (2016)
We report on the first realization of InAs n-channel gate-all-around nanowire MOSFETs on 300 mm Si substrates using a fully very large-scale integration (VLSI)-compatible flow. Scaling of the equivalent oxide thickness EOT in conjunction with high- $
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::43af54b83295285d95448058474006d6
https://ieeexplore.ieee.org/document/7488198/
https://ieeexplore.ieee.org/document/7488198/
Autor:
Timothy Vasen, Yang-Sih Chang, Stephen Thoms, Gordon C. H. Hsieh, Peter Ramvall, Yee-Chia Yeo, Gerben Doornbos, S. Wang, Chien-Hsun Wang, Georgios Vellianitis, Richard Kenneth Oxland, Carlos H. Diaz, Martin Christopher Holland, Xu Li, Iain G. Thayne, Kaimin M. Yin, Douglas Macintyre, Shang-Wen Chang, Ravi Droopad, M. Edirisooriya, Matthias Passlack, R. Contreras-Guerrero, J.S. Rojas-Ramirez
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 62:2429-2436
Frequency (100 ${\rm Hz}\le f \le 1$ MHz) and temperature ( $- 50 \le T \le 20^{\circ }\text{C}$ ) characteristics of low interface state density $D_{\rm {it}}$ high- $\kappa $ gate-stacks on n-InAs have been investigated. Capacitance–voltage ( $C$
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::ac271353f023dc6565f788d0713ce7cb
https://doi.org/10.1109/ted.2015.2445854
https://doi.org/10.1109/ted.2015.2445854
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Gordon, C. H.
Publikováno v:
Orientalia, 1953 Jan 01. 22(1), 79-81.
Externí odkaz:
https://www.jstor.org/stable/43079363
Autor:
Gordon, C. H.
Publikováno v:
Orientalia, 1953 Jan 01. 22(3), 242-250.
Externí odkaz:
https://www.jstor.org/stable/43073079
Autor:
Gordon, C. H.
Publikováno v:
Orientalia, 1953 Jan 01. 22(4), 415-416.
Externí odkaz:
https://www.jstor.org/stable/43073105