Zobrazeno 1 - 10
of 158
pro vyhledávání: '"Goorsky, M. S."'
Autor:
Wang, Y., Huynh, K., Liao, M. E., Tweedie, J., Reddy, P., Breckenridge, M. H., Collazo, R., Sitar, Z., Bockowski, M., Huang, X., Wojcik, M., Goorsky, M. S.
Annealing Mg-implanted homoepitaxial GaN at temperatures at or above 1400 {\deg}C eliminates the formation of inversion domains and leads to improved dopant activation efficiency. Extended defects in the form of inversion domains contain electrically
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2204.10225
Autor:
Huynh, K., Wang, Y., Liao, M. E., Tweedie, J., Reddy, P., Breckenridge, M. H., Collazo, R., Sitar, Z., Sierakowski, K., Bockowski, M., Huang, X., Wojcik, M., Goorsky, M. S.
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 1/14/2024, Vol. 135 Issue 2, p1-12, 12p
Publikováno v:
Philosophical Transactions: Mathematical, Physical and Engineering Sciences, 1999 Oct . 357(1761), 2777-2788.
Externí odkaz:
https://www.jstor.org/stable/55269
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; Oct2010, Vol. 108 Issue 7, p074908, 5p, 1 Diagram, 2 Charts, 3 Graphs
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; Mar2010, Vol. 107 Issue 5, p054315-054320, 5p, 3 Diagrams, 2 Charts, 3 Graphs
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 11/1/2005, Vol. 98 Issue 9, p093526, 4p, 2 Diagrams, 2 Graphs
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 6/15/2001, Vol. 89 Issue 12, p8279, 5p, 2 Black and White Photographs, 1 Chart, 6 Graphs
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 5/15/1990, Vol. 67 Issue 10, p6497, 10p, 6 Black and White Photographs, 1 Diagram, 1 Chart, 4 Graphs