Zobrazeno 1 - 10
of 47
pro vyhledávání: '"Gong Yanfen"'
Autor:
Zhao, Jun, Zhang, Hao, Liu, Junwei, Gong, Yanfen, Wan, Songqiang, Liu, Long, Li, Jiacheng, Song, Ziyi, Zhang, Shiyao, Li, Qingrui
Publikováno v:
International Journal of Structural Integrity, 2024, Vol. 15, Issue 3, pp. 522-538.
Externí odkaz:
http://www.emeraldinsight.com/doi/10.1108/IJSI-12-2023-0147
Autor:
Liu, Long, Wan, Songqiang, Yan, Chunling, Zheng, Xianchao, Zhao, Jun, Dong, Xiaoyu, Gong, Yanfen, Liu, Junwei, Li, Jiacheng, Song, Ziyi, Zhang, Shiyao, Li, Qingrui
Publikováno v:
In Case Studies in Construction Materials July 2024 20
Autor:
Hou, Xiaobing, Liu, Zongxin, Gong, Yanfen, Wan, Songqiang, Liu, Long, Song, Ziyi, Zhang, Shiyao, Li, Qingrui
Publikováno v:
Discover Applied Sciences; Sep2024, Vol. 6 Issue 9, p1-18, 18p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Gong, Yanfen, Gong, Zheng
Publikováno v:
Advanced Materials Technologies; Mar2023, Vol. 8 Issue 5, p1-25, 25p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Pang Chao, Rihui Yao, Zhangxu Pan, Junbiao Peng, Honglong Ning, Kuankuan Lu, Hu Shiben, Wang Jiantai, Gong Yanfen, Guo Chan, Zheng Gong
Publikováno v:
Nanomaterials
Nanomaterials, Vol 11, Iss 522, p 522 (2021)
Volume 11
Issue 2
Nanomaterials, Vol 11, Iss 522, p 522 (2021)
Volume 11
Issue 2
In this work, we performed a systematic study of the physical properties of amorphous Indium–Gallium–Zinc Oxide (a-IGZO) films prepared under various deposition pressures, O2/(Ar+O2) flow ratios, and annealing temperatures. X-ray reflectivity (XR
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::95ab4ce04d3a3dfde8010020f8e52480
https://doi.org/10.3390/nano11020522
https://doi.org/10.3390/nano11020522
Autor:
Lihui Wang, Ningyang Liu, Xianchi Wang, Wang Jiantai, Gong Yanfen, Zhangxu Pan, Zhitao Chen, Ruimin Cao, Liu Jiucheng, Masatoshi Ishikawa, Zheng Gong, Guo Chan
Publikováno v:
Advanced Materials Technologies. 5:2000549
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::fa84b5acaccbdbd5fe3edeb121d0dfe4
https://doi.org/10.1002/admt.202000549
https://doi.org/10.1002/admt.202000549
Autor:
Jianjian Wang, Q. Y. Zeng, Zhenghui Pan, Liu Jiucheng, Guo Chan, Gong Yanfen, Zeng Zhaohui, Zheng Gong
Publikováno v:
Semiconductor Science and Technology. 35:035026
In this work we investigated the effects of bias voltage and incident power on the bandwidth of SACM Ge/Si APD using numerical analyses and compared them with experimental results. APD temporal response near breakdown voltage is dominated by electric
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::78101bbc7ba47aea35e220a630e142b9
https://doi.org/10.1088/1361-6641/ab7147
https://doi.org/10.1088/1361-6641/ab7147