Zobrazeno 1 - 10
of 26
pro vyhledávání: '"Gong, Yibin"'
Autor:
Gong, Yibin, Chok, Yun Hang
Publikováno v:
In Computers and Geotechnics January 2018 93:178-190
Autor:
Li, Shuzhen, Gong, Yibin, Yang, Yichang, He, Chun, Hu, Lingling, Zhu, Linfei, Sun, Lianpeng, Shu, Dong
Publikováno v:
In Chemical Engineering Journal 15 January 2015 260:231-239
Autor:
Zou, Xianping, Kang, Zongxuan, Shu, Dong, Liao, Yuqing, Gong, Yibin, He, Chun, Hao, Junnan, Zhong, Yayun
Publikováno v:
In Electrochimica Acta 1 January 2015 151:89-98
Autor:
Cheng, Honghong, Long, Lu, Shu, Dong, Wu, Jinqing, Gong, Yibin, He, Chun, Kang, Zongxuan, Zou, Xianping
Publikováno v:
In International Journal of Hydrogen Energy 23 September 2014 39(28):16151-16161
Publikováno v:
In Journal of Saudi Chemical Society September 2014 18(4):299-307
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Journal of Semiconductors. 32:123003
Nanoscale refinement on a (100) oriented silicon-on-insulator (SOI) wafer was introduced by using tetra-methyl-ammonium hydroxide (TMAH, 25 wt%) anisotropic silicon etchant, with temperature kept at 50 °C to achieve precise etching of the (111) crys
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::f6190f59bbcddbdb2d5dce4c71d80f0c
https://doi.org/10.1088/1674-4926/32/12/123003
https://doi.org/10.1088/1674-4926/32/12/123003
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.