Zobrazeno 1 - 4
of 4
pro vyhledávání: '"Golubović Snežana M."'
Autor:
Đorić-Veljković Snežana M., Manić Ivica Đ., Davidović Vojkan S., Danković Danijel M., Golubović Snežana M., Stojadinović Ninoslav D.
Publikováno v:
Nuclear Technology and Radiation Protection, Vol 28, Iss 4, Pp 406-414 (2013)
The behaviour of oxide and interface defects in n-channel power vertical double-diffused metal-oxide-semiconductor field-effect transistors, firstly degraded by the gamma-irradiation and electric field and subsequently recovered and annealed, is p
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/0eaeddcd59814d1ab47378519667f648
Autor:
Đorić-Veljković Snežana M., Manić Ivica Đ., Davidović Vojkan S., Danković Danijel M., Golubović Snežana M., Stojadinović Ninoslav D.
Publikováno v:
Nuclear Technology and Radiation Protection, Vol 26, Iss 1, Pp 18-24 (2011)
The annealing of radiation-induced defects in burn-in stressed n-channel power VDMOSFETs with thick gate oxides (100 and 120 nm) is analysed. In comparison with the previous spontaneous recovery, the changes of device electrical parameters observed d
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/c6a80a91311d42ddb90cab9e3e977810
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.