Zobrazeno 1 - 8
of 8
pro vyhledávání: '"Golosov, Dmitriy Anatolyevich"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Nanoscale Research Letters
The Al-doped effects on the band offsets of ZnO/β-Ga2O3 interfaces are characterized by X-ray photoelectron spectroscopy and calculated by first-principle simulations. The conduction band offsets vary from 1.39 to 1.67 eV, the valence band offsets r
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=pmid________::59703ae586012ab51c14d1f4e7525933
http://europepmc.org/articles/PMC6694324
http://europepmc.org/articles/PMC6694324
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Huan, Ya-Wei, Xu, Ke, Liu, Wen-Jun, Zhang, Hao, Golosov, Dmitriy Anatolyevich, Xia, Chang-Tai, Yu, Hong-Yu, Wu, Xiao-Han, Sun, Qing-Qing, Ding, Shi-Jin
Publikováno v:
Nanoscale Research Letters; 12/2/2019, Vol. 14 Issue 1, pN.PAG-N.PAG, 1p
Publikováno v:
Nanoscale Research Letters; 8/14/2019, Vol. 14 Issue 1, pN.PAG-N.PAG, 1p
Autor:
Liu YC; Shaoxin Laboratory, Shaoxing, Zhejiang 312000, People's Republic of China.; School of Microelectronics, Fudan University, Shanghai 200433, People's Republic of China., Xie GR; School of Microelectronics, Fudan University, Shanghai 200433, People's Republic of China., Yang JN; School of Microelectronics, Fudan University, Shanghai 200433, People's Republic of China., Zhang H; School of Microelectronics, Fudan University, Shanghai 200433, People's Republic of China., Golosov DA; Belarusian State University of Informatics and Radioelectronics, Minsk 220013, Belarus., Gu C; Department of Microelectronic Science and Engineering, School of Physical Science and Technology, Ningbo University, Ningbo 315211, People's Republic of China., Zhu B; School of Microelectronics, Fudan University, Shanghai 200433, People's Republic of China.; Jiashan Fudan Institute, Fudan University, Jiaxing, Zhejiang 314100, People's Republic of China., Wu X; School of Microelectronics, Fudan University, Shanghai 200433, People's Republic of China.; Jiashan Fudan Institute, Fudan University, Jiaxing, Zhejiang 314100, People's Republic of China., Lu HL; School of Microelectronics, Fudan University, Shanghai 200433, People's Republic of China., Ding SJ; School of Microelectronics, Fudan University, Shanghai 200433, People's Republic of China.; Jiashan Fudan Institute, Fudan University, Jiaxing, Zhejiang 314100, People's Republic of China., Liu W; Shaoxin Laboratory, Shaoxing, Zhejiang 312000, People's Republic of China.; School of Microelectronics, Fudan University, Shanghai 200433, People's Republic of China.; Zhangjiang Fudan International Innovation Center, Fudan University, Shanghai 201203, People's Republic of China.
Publikováno v:
Nanotechnology [Nanotechnology] 2024 Nov 08; Vol. 36 (4). Date of Electronic Publication: 2024 Nov 08.