Zobrazeno 1 - 6
of 6
pro vyhledávání: '"Golod SV"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Golod SV; Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch of the Russian Academy of Sciences, 13 Lavrentiev Ave., Novosibirsk 630090, Russia., Gayduk AE, Kurus NN, Kubarev VV, Prinz VY
Publikováno v:
Nanotechnology [Nanotechnology] 2020 Oct 23; Vol. 31 (43), pp. 435302. Date of Electronic Publication: 2020 Jul 10.
Autor:
Prinz VY; Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Russian Academy of Science, Siberian Branch, Novosibirsk, 630090, Russia., Naumova EV; Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Russian Academy of Science, Siberian Branch, Novosibirsk, 630090, Russia., Golod SV; Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Russian Academy of Science, Siberian Branch, Novosibirsk, 630090, Russia., Seleznev VA; Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Russian Academy of Science, Siberian Branch, Novosibirsk, 630090, Russia., Bocharov AA; Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Russian Academy of Science, Siberian Branch, Novosibirsk, 630090, Russia., Kubarev VV; Budker Institute of Nuclear Physics, Russian Academy of Science, Siberian Branch, Novosibirsk, 630090, Russia.
Publikováno v:
Scientific reports [Sci Rep] 2017 Mar 03; Vol. 7, pp. 43334. Date of Electronic Publication: 2017 Mar 03.