Zobrazeno 1 - 8
of 8
pro vyhledávání: '"Golikov, O. L."'
Autor:
Golikov, O. L., Kodochigov, N. E., Obolensky, S. V., Puzanov, A. S., Tarasova, E. A., Khazanova, S. V.
Publikováno v:
Russian Microelectronics; Feb2024, Vol. 53 Issue 1, p51-56, 6p
Autor:
Golikov, O. L., Zabavichev, I. Yu., Ivanov, A. S., Obolensky, S. V., Obolenskaya, E. S., Paveliev, D. G., Potekhin, A. A., Puzanov, A. S., Tarasova, E. A., Khazanova, S. V.
Publikováno v:
Russian Microelectronics; Feb2024, Vol. 53 Issue 1, p44-50, 7p
Autor:
Khazanova, S. V., Golikov, O. L., Puzanov, A. S., Tarasova, E. A., Zabavichev, I. Yu., Potekhin, A. A., Obolenskaya, E. S., Ivanov, A. S., Paveliev, D. G., Obolensky, S. V.
Publikováno v:
Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics; Jun2023, Vol. 87 Issue 6, p800-804, 5p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
null Zemlyakov V. E., null Obolensky S. V., null Puzanov A. S., null Golikov O. L., null Khazanova S. V., null Tarasova E. A.
Publikováno v:
Semiconductors. 56:630
Computational and experimental studies of the characteristics of a high-power AlGaAs/InGaAs/GaAs DpHEMT were performed. A self-consistent numerical solution of the Schrodinger and Poisson equations was used to calculate the band diagram and the elect
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::fb211da34912cc3eb20d3d50452a1f53
https://doi.org/10.21883/sc.2022.09.54125.37
https://doi.org/10.21883/sc.2022.09.54125.37
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Tarasova, E. A., Khazanova, S. V., Golikov, O. L., Puzanov, A. S., Obolensky, S. V., Zemlyakov, V. E.
Publikováno v:
Semiconductors; Dec2021, Vol. 55 Issue 12, p895-898, 4p
Autor:
Tarasova, E. A., Obolensky, S. V., Khazanova, S. V., Grigoryeva, N. N., Golikov, O. L., Ivanov, A. B., Puzanov, A. S.
Publikováno v:
Semiconductors; Sep2020, Vol. 54 Issue 9, p1155-1160, 6p