Zobrazeno 1 - 10
of 44
pro vyhledávání: '"Golenkov A. G."'
Autor:
Reva V. P., Korinets S. V., Golenkov A. G., Sapon S. V., Torchinsky A. M., Zabudsky V. V., Sizov F. F.
Publikováno v:
Tekhnologiya i Konstruirovanie v Elektronnoi Apparature, Iss 2, Pp 9-14 (2018)
The sensitivity and basic electrical characteristics of the developed direct illumination matrices with charge-coupled devices and electronic multiplication were investigated at room temperatures and low illumination. Photomatrices of 576×288 and 64
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/77e12de1ede04889bc2fb5a06e71cb2a
Autor:
Reva V. P., Korinets S. V., Golenkov A. G., Sapon S. V., Torchinsky A. M., Zabudsky V. V., Sizov F. F.
Publikováno v:
Tekhnologiya i Konstruirovanie v Elektronnoi Apparature, Iss 1-2, Pp 33-37 (2017)
Electron multiplication charge coupled devices (EMCCD) technology is an innovation first introduced slightly more than a decade ago. The EMCCD is an image sensor that is capable of detecting an isolated photon without an image intensifier. It is achi
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/7673daa3239f45cf99ce5d794aedfe4f
Autor:
Reva V. P., Golenkov A. G., Zabudskiy V. V., Korinets S. V., Tsybriy Z. F., Gumenjuk-Sichevska J. V., Bunchuk S. G., Apatskaya M. V., Lysiuk I. А., Smoliy М. I.
Publikováno v:
Tekhnologiya i Konstruirovanie v Elektronnoi Apparature, Iss 4, Pp 24-28 (2010)
The results of investigation of developed thermal imager for middle (3—5 µm) infrared region are presented and its applications features are discussed. The thermal imager consists of cooled to 80 K 128×128 diodes focal plane array on the base of
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/06341c0f2da641a6be391d3f07d303af
Autor:
Fedoryak, A. N., Doroshenko, T. P., Golenkov, O. G., Kratzer, M., Huszar, M., Plevova, K., Haiden, L., Teichert, C., Dimitriev, O. P.
Publikováno v:
Smart Materials in Manufacturing; 2024, Vol. 2, p1-12, 12p
Autor:
Golenkov, A. G.1 golenkov@isp.kiev.ua, Shevchik-Shekera, A. V.1, Kovbasa, M. Yu.1, Lysiuk, I. O.1, Vuichyk, M. V.1, Korinets, S. V.1, Bunchuk, S. G.1, Dukhnin, S. E.1, Reva, V. P.1, Sizov, F. F.1
Publikováno v:
Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. 2021, Vol. 24 Issue 1, p90-99. 10p.
Autor:
Shevchik-Shekera, A. V., Sizov, F. F., Golenkov, O. G., Lysiuk, I. O., Petriakov, V. О., Kovbasa, M. Yu.
Publikováno v:
Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics; 2023, Vol. 26 Issue 1, p59-67, 9p
Autor:
Golenkov, A. G.1, Sizov, F. F.1 sizov@isp.kiev.ua
Publikováno v:
Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. 2016, Vol. 19 Issue 2, p129-138. 10p.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Golenkov, A. G.1 golenkov.o@gmail.com, Zhuravlev, K. S.2 zhur@thermo.isp.nsc.ru, Gumenjuk-Sichevska, J. V.1 gumenjuk@gmail.com, Lysiuk, I. O.1 Lysiuk@gmail.com, Sizov, F. F.1 sizov@isp.kiev.ua
Publikováno v:
Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. 2015, Vol. 18 Issue 1, p40-45. 6p.
Autor:
Lysiuk, I. O., Golenkov, A. G., Dukhnin, S. E., Reva, V. P., Shevchik-Shekera, A. V., Sizov, F. F.
Publikováno v:
Sensor Electronics and Microsystem Technologies; Том 14, № 3 (2017); 38-46
Сенсорная электроника и микросистемные технологии; Том 14, № 3 (2017); 38-46
Сенсорна електроніка і мікросистемні технології; Том 14, № 3 (2017); 38-46
Сенсорная электроника и микросистемные технологии; Том 14, № 3 (2017); 38-46
Сенсорна електроніка і мікросистемні технології; Том 14, № 3 (2017); 38-46
В работе рассмотрено приемное устройство для регистрации электромагнитного излучения суб-ТГц/ТГц диапазона спектра, чувствительным эл
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=scientific_p::33a2d1959bf69430cf80eb9549b5d212
http://semst.onu.edu.ua/article/view/109330
http://semst.onu.edu.ua/article/view/109330