Zobrazeno 1 - 10
of 4 562
pro vyhledávání: '"Goldman, R."'
Autor:
Herut, B., Goldman, R., Ozer, T., Lazar, A., Biton, E., Gertman, I., Silverman, J., Segal, Y., Sisma-Ventura, G., Gertner, Y., Rubin-Blum, M., Belkin, N., Rahav, E.
Publikováno v:
In Marine Pollution Bulletin January 2024 198
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Lu, H., Reese, C., Jeon, S., Sundar, A., Fan, Y., Rizzi, E., Zhuo, Y., Qi, L., Goldman, R. S.
We have examined the formation mechanisms of GaN quantum dots (QDs) via annealing of Ga droplets in a nitrogen flux. We consider the temperature and substrate dependence of the size distributions of droplets and QDs, as well as the relative roles of
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1911.01472
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Luengo-Kovac, M., Huang, S., Del Gaudio, D., Occena, J., Goldman, R. S., Raimondi, R., Sih, V.
Publikováno v:
Phys. Rev. B 96, 195206 (2017)
The current-induced spin polarization and momentum-dependent spin-orbit field were measured in In$_{x}$Ga$_{1-x}$As epilayers with varying indium concentrations and silicon doping densities. Samples with higher indium concentrations and carrier conce
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1706.00351
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
We report on the modification of the g-factor by an in-plane electric field in an In$_{0.031}$Ga$_{0.969}$As epilayer. We performed external magnetic field scans of the Kerr rotation of the InGaAs film in order to independently determine the g-factor
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1501.07302
Publikováno v:
Applied Physics Letters 102, 022420 (2013)
Photoluminescence spectroscopy and Hanle effect measurements are used to investigate carrier spin dephasing and recombination times in the semiconductor alloy GaAsBi as a function of temperature and excitation energy. Hanle effect measurements reveal
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1211.2711