Zobrazeno 1 - 10 of 50 pro vyhledávání: '"Goldman, E. I."'
1
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
2
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
3
Akademický článek
Silicon Ultrathin Oxide (4.2 nm)–Polysilicon Structures Resistant to Field Damages.
Autor: Belorusov, D. A.1 (AUTHOR), Goldman, E. I.1 (AUTHOR), Naryshkina, V. G.1 (AUTHOR), Chucheva, G. V.1 (AUTHOR) gvc@ms.ire.rssi.ru
Publikováno v: Semiconductors. 2021, Vol. 55 Issue 1, p21-24. 4p.
Zobrazit plný text záznamu
4
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
5
Akademický článek
Features of the Characteristics of Field-Resistant Silicon–Ultrathin Oxide–Polysilicon Structures.
Autor: Goldman, E. I.1 (AUTHOR), Levashov, S. A.1 (AUTHOR), Chucheva, G. V.1 (AUTHOR) gvc@ms.ire.rssi.ru
Publikováno v: Semiconductors. Apr2019, Vol. 53 Issue 4, p465-468. 4p.
Zobrazit plný text záznamu
6
Akademický článek
On the Nature of the Increase in the Electron Mobility in the Inversion Channel at the Silicon–Oxide Interface after the Field Effect.
Autor: Goldman, E. I.1 (AUTHOR), Nabiev, A.2 (AUTHOR), Naryshkina, V. G.1 (AUTHOR), Chucheva, G. V.1 (AUTHOR) gvc@ms.ire.rssi.ru
Publikováno v: Semiconductors. Jan2019, Vol. 53 Issue 1, p85-88. 4p.
Zobrazit plný text záznamu
8
Insulating potential shape created by ultrathin silicon oxide layers
Autor: null Shusharin I. A., null Chucheva G. V., null Goldman E. I.
Publikováno v: Semiconductors. 56:229
A previously developed method for reconstructing the insulating potential pattern created by an ultrathin silicon oxide layer from the field dependences of the tunneling current has been modernized. Trapezoidal model potential parameters, that provid
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::85630676741e5d80013baed6bb77f382
https://doi.org/10.21883/sc.2022.03.53065.9756
Zobrazit plný text záznamu
9
A weak manifestation of the field effect in metal-dielectric-semiconductor structures with a ferroelectric insulating layer Ba-=SUB=-x-=/SUB=-Sr-=SUB=-1-x-=/SUB=-TiO-=SUB=-3-=/SUB=
Autor: null Chucheva G. V., null Goldman E. I., null Belorusov D. A.
Publikováno v: Physics of the Solid State. 63:1749
High-frequency measurements of the capacitance and conductivity of Ni-Ba0.8Sr0.2TiO_3-Pt and Ni-Ba0.8Sr0.2TiO_3-Si objects with a ferroelectric thickness of 120 nm in the paraelectric phase were carried out. It is shown that in the entire range of ex
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::54ba1e4b6edb75a03bc6294b710ae25c
https://doi.org/10.21883/pss.2022.13.52316.154
Zobrazit plný text záznamu
10
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje