Zobrazeno 1 - 10
of 801
pro vyhledávání: '"Golan, G."'
GaN high electron mobility transistors (HEMT) have gained some foothold in the power electronics industry due to wide frequency bandwidth and power handling. The material offers a wide bandgap and higher critical field strength compared to most wide
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2106.12703
Electropolishing has found wide application as the final surface treatment of metal products in mechanical engineering and instrumentation, medicine and reflective concentrators for PV cells. It was found that electropolishing (EP) not only reduces t
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2102.05752
Publikováno v:
In Applied Surface Science 1 October 2014 315:523-526
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
In Physics Procedia 2012 32:1-13
Publikováno v:
In Thin Solid Films 2010 518(16):4520-4524
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Axelevitch, A., Golan, G.
Publikováno v:
In Microelectronics Journal March 2009 40(3):435-438
Publikováno v:
In Applied Surface Science 2007 253(15):6608-6611