Zobrazeno 1 - 5
of 5
pro vyhledávání: '"Goding D"'
Autor:
Iacopi, Francesca, Mishra, N., Cunning, B.V., Kermany, A.R., Goding, D., Pradeepkumar, A., Dimitrijev, S., Boeckl, J.J., Brock, R., Dauskardt, R.H.
Publikováno v:
AMC 2015 – Advanced Metallization Conference
We have pioneered a novel approach to the synthesis of high-quality and highly uniform few-layer graphene on silicon wafers, based on solid source growth from epitaxial 3C-SiC films [1,2]. The achievement of transfer-free bilayer graphene directly on
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Ahmed, M, Khawaja, M, Notarianni, M, Wang, B, Goding, D, Gupta, B, Boeckl, JJ, Takshi, A, Motta, N, Saddow, SE, Iacopi, F
© 2015 IOP Publishing Ltd. We designed a nickel-assisted process to obtain graphene with sheet resistance as low as 80 Ω square-1 from silicon carbide films on Si wafers with highly enhanced surface area. The silicon carbide film acts as both a tem
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od_______363::fd4ecae61dea1a77f709060b52f98601
https://hdl.handle.net/10453/119220
https://hdl.handle.net/10453/119220
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.