Zobrazeno 1 - 9
of 9
pro vyhledávání: '"Gobronidze, V."'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Jishiashvili, D., Shiolashvili, Z. Shiolashvili, Makhatadze, N., Jishiashvili, A., Gobronidze, V., Sukhanov, D.
InP/Ga2O3 core-shell nanowires were grown on Si substrate at 400 ºC in the hydrazine (N2H4) vapor diluted with 3 mol. % H2O. The crystalline InP and solid Ga served as source materials for the growth of nanowires. According to TEM and EDX data the n
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::0460a6448d6d32ec0208be9c2d59ca49
Publikováno v:
2009 International Semiconductor Conference; 2009, p131-134, 4p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
2002 Proceedings 8th International Advanced Packaging Materials Symposium (Cat. No.02TH8617); 2002, p112-115, 4p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Physica Status Solidi (A) - Applications and Materials Science; July 2005, Vol. 202 Issue: 9 p1778-1785, 8p
Autor:
Jishiashvili, D., Gobsch, G., Ecke, G., Shiolashvili, Z., Gobronidze, V., Nakhutsrishvili, I.
Publikováno v:
2001 International Semiconductor Conference. CAS 2001 Proceedings (Cat. No.01TH8547); 2001, p327-327, 1p
Autor:
Jishiashvili, D., Shiolashvili, Z., Janelidze, R., Gobronidze, V., Kutelia, E., Mosidze, L., Nakhutsrishvili, I., Katsiashvili, M.
Publikováno v:
1996 International Semiconductor Conference 19th Edition CAS'96 Proceedings; 1996, Issue 2, p451-451, 1p