Zobrazeno 1 - 10
of 383
pro vyhledávání: '"Gnaser, H."'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Forstner, O., Gnaser, H., Golser, R., Hanstorp, D., Martschini, M., Priller, A., Rohlén, J., Steier, P., Vockenhuber, C., Wallner, A.
Publikováno v:
In Nuclear Inst. and Methods in Physics Research, B 2011 269(24):3180-3182
Autor:
Orendorz, A., Brodyanski, A., Lösch, J., Bai, L.H., Chen, Z.H., Le, Y.K., Ziegler, C., Gnaser, H.
Publikováno v:
In Surface Science 2007 601(18):4390-4394
Autor:
Orendorz, A., Brodyanski, A., Lösch, J., Bai, L.H., Chen, Z.H., Le, Y.K., Ziegler, C., Gnaser, H.
Publikováno v:
In Surface Science 2006 600(18):4347-4351
Autor:
Zapf, R., Becker-Willinger, C., Berresheim, K., Bolz, H., Gnaser, H., Hessel, V., Kolb, G., P.Löb, Pannwitt, A.-K., Ziogas, A.
Publikováno v:
In Chemical Engineering Research and Design 2003 81(7):721-729
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
König, D., Gutsch, S., Gnaser, H., Wahl, M., Kopnarski, M., Göttlicher, J., Steininger, R., Zacharias, M., Hiller, D.
Publikováno v:
Scientific reports, 5, 9702
Up to now, no consensus exists about the electronic nature of phosphorus (P) as donor for SiO$_{2}$- embedded silicon nanocrystals (SiNCs). Here, we report on hybrid density functional theory (h-DFT) calculations of P in the SiNC/SiO$_{2}$ system mat
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::2779eeef9eefb9caadd6056a3f0ed19d
https://publikationen.bibliothek.kit.edu/110104148/4406310
https://publikationen.bibliothek.kit.edu/110104148/4406310
Autor:
Zhou, D., Krauss, A.R., Qin, L. C., McCauley, T. G., Gruen, D. M., Corrigan, T. D., Chang, R. P. H., Gnaser, H.
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 11/1/1997, Vol. 82 Issue 9, p4546, 5p, 1 Black and White Photograph, 7 Graphs
Autor:
Dorofeev, A. M., Gaponenko, N. V., Bondarenko, V. P., Bachilo, E. E., Kazuchits, N. M., Leshok, A. A., Troyanova, G. N., Vorosov, N. N., Borisenko, V. E., Gnaser, H., Bock, W., Becker, P., Oechsner, H.
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 3/15/1995, Vol. 77 Issue 6, p2679, 5p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.