Zobrazeno 1 - 10
of 141
pro vyhledávání: '"Giusi, Gino"'
In this work we propose a channel backscattering model in which increased carrier temperature at the top of the potential energy barrier in the channel is taken into account. This model represents an extension of a previous model by the same authors
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1104.3144
Publikováno v:
Microelectronics Engineering, 2011, vol. 88, no. 1, pp. 76-81
In this paper we critically review and compare experimental methods, based on the Lundstrom model, to extract the channel backscattering ratio in nano MOSFETs. Basically two experimental methods are currently used, the most common of them is based on
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1012.5981
Publikováno v:
IEEE Transaction on Electron Devices, Vol. 57, no. 9, pp. 2132-2137, Sept. 2010
In this work we propose a fully experimental method to extract the barrier lowering in short-channel saturated MOSFETs using the Lundstrom backscattering transport model in a one sub-band approximation and carrier degeneracy. The knowledge of the bar
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1012.5978
Publikováno v:
IEEE Transaction on Electron Devices, 2011
We propose a model for partially ballistic MOSFETs and for channel backscattering that is alternative to the well known Lundstrom model and is more accurate from the point of view of the actual energy distribution of carriers. The key point is that w
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1012.5976
Publikováno v:
In Microelectronic Engineering 2011 88(1):76-81
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.