Zobrazeno 1 - 10
of 29
pro vyhledávání: '"Giolo, G."'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
2009 European Microwave Conference (EuMC).
Publikováno v:
Lamesa, Alessandro ; Giolo1, Giancarlo ; Limiti, Ernesto (2004) Design Procedure and Performance of two 0.5-20 GHz GaAs PHEMT MMIC Matrix Distributed Amplifier for EW Applications. In: Gallium Arsenide applications symposium. GAAS 2004, 11—12 Ottobre, Amsterdam.
Scopus-Elsevier
Scopus-Elsevier
Two monolithic matrix amplifiers for ECM and ESM military equipment have been designed and realized using 0.25 m GaAs PHEMT technology from UMS. Design trade-offs and performances are discussed detail. The effects of the biasing network, termination
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::ef76e05df49d5a0abb6f3184d514baf8
http://amsacta.unibo.it/1004/
http://amsacta.unibo.it/1004/
Publikováno v:
Bartocci, M. ; De Santis, G. ; Giolo, G. ; Rossi, L. ; Gemma, M. (2001) 4W TX/RX Multi Chip Module for 6-18GHz Phased Array. In: Gallium Arsenide applications symposium. Gaas 2001, 24-28 September 2001, London.
A complete Tx/Rx module for avionic and naval applications was developed and tested. A multifunction PHEMT MMIC chip set was realized. Multi chip integration in hermetic MoCu package was adopted in order to reduce cost, space and assembly time. High
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::512e0a2937918d67009de2e8ce0793c4
Autor:
Tocca, L., Di Carlo, A., Berliocchi, M., Lugli, P., Bartocci, M., De Santis, G., Giolo, G., Rossi, L., Gemma, M.
Publikováno v:
Tocca, L. ; Di Carlo, A. ; Berliocchi, M. ; Lugli, P. ; Bartocci, M. ; De Santis, G. ; Giolo, G. ; Rossi, L. ; Gemma, M. (2001) Accurate estimation of layer temperature in PHEMT MMIC by photoconductance measurements. In: Gallium Arsenide applications symposium. Gaas 2001, 24-28 September 2001, London.
InGaAs/InP heterojunction bipolar transistors grown in a multi-wafer metal-organic chemicalvapor deposition system will be demonstrated.Excellent large and small area DC and RF results are obtained for single and double heterojunction structures. The
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::b0ef510d487956ddd16a8c50ab658274
http://amsacta.unibo.it/60/
http://amsacta.unibo.it/60/
Autor:
Bettidi, A., Cetronio, A., De Dominicis, M., Giolo, G., Lanzieri, C., Manna, A., Peroni, M., Proietti, C., Romanini, P.
Publikováno v:
2008 IEEE Radio Frequency Integrated Circuits Symposium; 2008, p329-332, 4p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.