Výsledky vyhledávání - "Gimchinsky, A. G."

Conference

Structural changes of silicon crystals after high-energy electron irradiation.

Autor: Gimchinsky, A. G., Gutsulyak, B. I., Oleynich-Lysyuk, A. V., Raransky, N. D., Swiantek, Z.

Publikováno v: Proceedings of SPIE; Nov2004, Issue 1, p215-221, 7p

Zobrazit plný text záznamu

Conference

Structural changes in silicon implanted by phosphorus.

Autor: Fodchuk, Igor M., Raransky, M. D., Gimchinsky, O. G., Godovaniouk, V. M., Gultaj, L. L., Swiatek, Z., Bonarsky, J. N.

Publikováno v: Proceedings of SPIE; Nov1999, Issue 1, p456-460, 5p

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Determination of dominant type of defects in Cz-Si single crystals after irradiation with high-energy electrons.

Autor: Dovganyuk, V. V., Fodchuk1,2, I. M., Gimchinsky, O. G., Oleinych-Lysyuk, A. V., Nizkova, A. I.

Publikováno v: Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics; 2006, Vol. 9 Issue 2, p95-103, 9p

Zobrazit plný text záznamu

Research of structural changes in silicon implanted by phosphorus

Autor: Igor Fodchuk, Raransky, M. D., Gimchinsky, O. G., Godovaniouk, V. M., Gultaj, L. L., Swiatek, Z., Bonarsky, J. N.

Publikováno v: Scopus-Elsevier

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::8b4b768395bd99a3506b1404c56262f7
http://www.scopus.com/inward/record.url?eid=2-s2.0-0033344331&partnerID=MN8TOARS

Zobrazit plný text záznamu

X-ray diffracting investigation of strain distribution in silicon implanted by phosphorus

Autor: Świa̧tek, Z., Bonarski, J., Ciach, R., Igor Fodchuk, Raransky, M. D., Gimchinsky, O. G.

Publikováno v: Scopus-Elsevier

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::2b7d53dfdb76d255d8ecc12aa079fe57
http://www.scopus.com/inward/record.url?eid=2-s2.0-17644439257&partnerID=MN8TOARS

Zobrazit plný text záznamu