Zobrazeno 1 - 10 of 88 pro vyhledávání: '"Giling, L. J."'
2
Akademický článek
Photoluminescence studies of defects and impurities in annealed GaAs.
Autor: van de Ven, J., Hartmann, W. J. A. M., Giling, L. J.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 11/15/1986, Vol. 60 Issue 10, p3735, 11p, 3 Charts, 12 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
3
Akademický článek
Influence of growth parameters on the incorporation of residual impurities in GaAs grown by metalorganic chemical vapor deposition.
Autor: van de Ven, J., Schoot, H. G., Giling, L. J.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 9/1/1986, Vol. 60 Issue 5, p1648, 13p, 1 Diagram, 5 Charts, 12 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
4
Akademický článek
Revealing of defects in InP by shallow (submicron) photoetching.
Autor: Weyher, J. L., Giling, L. J.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 7/1/1985, Vol. 58 Issue 1, p219, 4p, 4 Black and White Photographs, 1 Graph
Zobrazit plný text záznamu
5
Akademický článek
Influence of charge carrier scattering on the exact form of the Hall curve.
Autor: Rijks, H. J., Giling, L. J., Bloem, J.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Jan1981, Vol. 52 Issue 1, p472-475, 4p
Zobrazit plný text záznamu
6
Akademický článek
Heat treatment of silicon and the nature of thermally induced donors.
Autor: Rijks, H. J., Bloem, J., Giling, L. J.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Mar1979, Vol. 50 Issue 3, p1370-1374, 5p
Zobrazit plný text záznamu
8
Akademický článek
The emission coefficient of silicon coated with Si3N4 or SiO2 layers.
Autor: van der Meer, P. L. A. Chr. M., Giling, L. J., Kroon, S. G.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Feb1976, Vol. 47 Issue 2, p652-655, 4p
Zobrazit plný text záznamu
9
Akademický článek
Growth of {100} textured diamond films by the addition of nitrogen.
Autor: Cao, G. Z., Schermer, J. J., van Enckevort, W. J. P., Elst, W. A. L. M., Giling, L. J.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 2/1/1996, Vol. 79 Issue 3, p1357, 8p, 3 Black and White Photographs, 2 Charts, 3 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
10
Akademický článek
Homoepitaxial diamond films codoped with phosphorus and nitrogen by chemical-vapor deposition.
Autor: Cao, G. Z., Driessen, F. A. J. M., Bauhuis, G. J., Giling, L. J., Alkemade, P. F. A.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 9/1/1995, Vol. 78 Issue 5, p3125, 7p, 2 Charts, 4 Graphs
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje