Zobrazeno 1 - 10 of 19 pro vyhledávání: '"Gilgien, L."'
1
Periodical
Modeling Positron-Electron Correlations in Solids
Autor: Gilgien, L., Car, Roberto, Ceperley, D.M.
Publikováno v: Materials Science Forum; September 1997, Vol. 255 Issue: 1 p52-56, 5p
Zobrazit plný text záznamu
2
Periodical
Positron Trapping at a Negatively Charged as Vacancy in GaAs
Autor: Gilgien, L., Galli, G., Gygi, F., Car, Roberto, Ambigapathy, R., Manuel, Alfred A.
Publikováno v: Materials Science Forum; November 1994, Vol. 175 Issue: 1 p363-366, 4p
Zobrazit plný text záznamu
3
Akademický článek
Ab initio study of positron trapping at a vacancy in GaAs.
Autor: Gilgien L, Galli G, Gygi F, Car R
Publikováno v: Physical review letters [Phys Rev Lett] 1994 May 16; Vol. 72 (20), pp. 3214-3217.
Zobrazit plný text záznamu
4
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
5
Akademický článek
Lattice relaxation at V−, NV−, and NVN− defects in diamond investigated by positron annihilation.
Autor: Dannefaer, S
Publikováno v: Journal of Physics: Condensed Matter; 4/29/2009, Vol. 21 Issue 17, p175412-175414, 3p
Zobrazit plný text záznamu
6
Akademický článek
First-principles calculations of momentum distributions of annihilating electron–positron pairs in defects in UO2.
Autor: Julia Wiktor, Gérald Jomard, Marc Torrent, Marjorie Bertolus
Publikováno v: Journal of Physics: Condensed Matter; 1/25/2017, Vol. 29 Issue 3, p1-1, 1p
Zobrazit plný text záznamu
7
Akademický článek
Computational studies of positron states and annihilation parameters in semiconductors – vacancy-type defects in group-III nitrides –.
Autor: S Ishibashi, A Uedono
Publikováno v: Journal of Physics: Conference Series; 2016, Vol. 674 Issue 1, p1-1, 1p
Zobrazit plný text záznamu
8
Akademický článek
Post-implantation annealing of SiC studied by slow-positron spectroscopies.
Autor: Brauer, G., Anwand, W., Coleman, P. G., Störmer, J., Plazaola, F., Campillo, J. M., Pacaud, Y., Skorupa, W.
Publikováno v: Journal of Physics: Condensed Matter; 2/9/1998, Vol. 10 Issue 5, p1-1, 1p
Zobrazit plný text záznamu
9
Akademický článek
Tight-binding molecular dynamics simulations of semiconductor alloys: clusters, surfaces, and defects.
Autor: Feng, Y. P., Ong, C. K., Poon, H. C., Tománek, D.
Publikováno v: Journal of Physics: Condensed Matter; 5/26/1997, Vol. 9 Issue 21, p1-1, 1p
Zobrazit plný text záznamu
10
Akademický článek
Positron states at point defects in GaAs measured by 2D-ACAR.
Autor: Ambigapathy, R., Corbel, C., Hautojarvi, P., Manuel, A. A., Saarinen, K.
Publikováno v: Journal of Physics: Condensed Matter; 12/4/1995, Vol. 7 Issue 49, p1-1, 1p
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje